格隆汇8月24日｜科技分析师Dan Ives认为，存储市场的强劲需求仍将延续，供给短缺的格局短期内难以改变；就AI革命而言，目前存储市场的需求与供给比例约为15比1。随着存储需求及价格同步上升，包括苹果在内的企业都必须支付更高的存储成本。Ives表示：“目前是存储业者的天下，其他所有人都得付‘租金’。”他指出，存储产业未来仍会出现周期性的起伏，但这一轮多年期的产业循环仍将持续发展。当被问及企业可能过度下单或库存出现变化的可能性时，Ives称目前不必担心这些问题，目前正开始按照多头情境发展。

格隆汇8月24日｜韩国KOSPI指数跌幅扩大至2.2%。三星电子跌逾7%，SK海力士跌0.35%。

格隆汇8月24日｜半导体产业研究机构SemiAnalysis发布文章指出，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，传统以钨制作的字线逐渐面临物理与制程限制，钼可能成为高层数NAND不可避免的材料选择。分析指出，相较于钨，钼在高层数3D NAND结构中具有三项关键优势：首先，钼的电阻较低，有助于提升记忆体读写速度；其次，钼制程不需要使用氟基化学工艺；第三，钼在高深宽比结构中的填充能力较佳。 SemiAnalysis预估，钼在全球NAND总产能中的占比，将从2025年的个位数中段百分比，提升至2027年约30%。估计，光是2027年一年，NAND钼沉积设备市场规模就可能超过10亿美元。若后续DRAM与逻辑芯片也逐步采用钼相关制程，整体钼沉积设备市场到2030年可能进一步成长至每年约20亿美元。 设备供应商方面，泛林集团预期将率先受惠，东京电子则紧随其后。应用材料、阿斯麦以及北方华创则可能更多受惠于后续DRAM及逻辑芯片导入钼制程所带来的需求。

格隆汇8月24日｜日股软银集团跌幅扩大至3%。消息面上，软银计划在日本发行1万亿日元零售债券。

格隆汇8月24日｜据市场消息，SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合(Hybrid Bonding)等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络(PDN)来解决功耗挑战。

格隆汇8月24日｜软银集团计划发行创纪录规模的1万亿日元(约合63亿美元)的零售债券。该集团正筹集资金，以履行对OpenAI的投资承诺。根据公司提交的文件，这批7年期债券预计将于9月4日定价，初步票面利率区间为4.3%至4.9%。此次发行之际，软银已承诺向OpenAI投资超过600亿美元，并一直在筹集资金以支持相关投资。随着OpenAI及其他超大规模云服务商对人工智能工具和服务的需求不断增长，软银正加快数据中心投资，以扩大计算能力。此次发债将是软银今年第三次面向零售投资者发行债券，此前该公司4月筹集了4180亿日元，6月又筹集了2600亿日元。