格隆汇1月7日｜存储芯片板块已经成为开年以来最强风口，A股半导体设备板块延续涨势，芯源微、中微公司、北方华创、拓荆科技纷纷创出历史新高，带动科创半导体ETF飙涨7%，三个交易日累计涨16%。规模最大的科创50ETF上涨1%，昨日净流入15.46亿，居ETF市场第一。 消息面上： ①三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70%，且坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。 ②黄仁勋在周二演讲中强调了AI系统对内存和存储的需求，称“这是一个从未存在过的市场，而这个市场很可能成为全球最大的存储市场。” ③继美光业绩大超预期后，三星将于周四发布业绩，市场预期Q4营业利润有望飙升160%，创七年新高。 ④另外，国产存储巨头长鑫科技科创板IPO申请目前已获受理。 国金证券指出，在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR416Gb涨幅甚至高达1800%;且2026年全年全球存储芯片预计仍将供不应求,有望持续涨价。 相关产品及截至发稿涨跌幅： 聚焦科创板的半导体国产替代设备+材料：科创半导体ETF(588170)，+7%，成份股涵盖中微公司（刻蚀设备）、拓荆科技（薄膜沉积设备）、华海清科（CMP设备）、沪硅产业（300mm硅片）、天岳先进（碳化硅衬底）。 全市场规模最大的芯片行业ETF：芯片ETF(159995)，+2.11%，最新规模高达264.32亿元，覆盖芯片全产业链，权重股包括中芯国际、寒武纪、长电科技、北方华创等龙头股。 半导体含量超60%”科创大盘代表：科创50ETF(588000)，+1.13%，最新规模815.75亿。

格隆汇1月7日｜据CNMO科技，行业消息称，美光计划在2026年将HBM4月产能提升至1万5000片晶圆规模，占其整体HBM总产能（约5万5000片/月）的近30%，显示出其全力押注下一代AI内存市场的战略意图。长期以来，美光在HBM领域因产能规模落后于韩国竞争对手而处于劣势。但这一局面正在改变。美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在2025年12月财报会上表示，公司将于2026年第二季度起显著提升HBM4产量，并预计其良率爬坡速度将快于上一代HBM3E。业内分析指出，美光已启动设备投资，正加快产能建设。

格隆汇1月7日｜花旗表示，铜价近数周大幅上扬，已突破该行在《2026年大宗商品年度展望》中提出的0至3个月看好目标(每吨12000美元)及6至12个月目标(每吨13000美元)。该行战术性看好未来数周铜价，并将0至3个月目标上调至每吨14000美元。然而，该行维持基准情景预测不变，即2026年第二至第四季度均价为每吨13000美元。 市场动能、仓位进一步上行空间，以及完整的看多叙事(美国套利/关税动态、需求与增长预期、矿端供应限制、货币贬值尾端风险)，均可能在近期推动价格上涨。然而，相较于去年12月，该行目前对价格上涨的信念已大幅减弱；1月可能成为2026年的价格高点，除非出现新的催化剂以实现该行每吨15000美元的牛市情境，否则该行预计价格最终将回落至更可持续的每吨约13000美元水平。

格隆汇1月7日｜派杰投资将美光科技的目标价从275美元上调至400美元。

格隆汇1月7日｜当地时间1月6日，黄仁勋在媒体交流会上回应芯片内存短缺问题时表示，英伟达是目前唯一HBM4用户，有出色的供应链，做了很好的规划，世界也需要更多的内存产能。