格隆汇4月3日丨银河证券研报表示，受益需求回暖，银行2月信贷投放保持强劲，开门红延续。考虑到外部环境和业务模式上的差异，硅谷银行事件对国内上市银行影响有限。总体来看，银行经营环境向好，压制估值的因素基本出清，向上修复空间打开。当前阶段银行板块估值性价比高、配置价值凸显，持续看好银行板块投资机会，维持“推荐”评级。

格隆汇4月3日丨海通证券研报指出，数字经济为全年主线，“中特估”策应。借鉴历史，牛市初期多普涨，此后行情主线确立。再来看本轮，自去年10月底以来的上涨行情轮动同样较快，借鉴历史经验，市场有望在调整后明确主线行情。数字经济阶段性或遭遇波折，但也为下一波孕育布局机会。过去一个季度数字经济已经有所表现，科技板块短期出现调整的概率较大，但当前仍处在数字经济发展的大周期中，短期波折或正孕育着布局良机。“中特估”可能短期休整，关注盈利韧性强、成长确定性高、现金分红好的真正具备中国特色的持续性机会。二季度关注黄金阶段性机会。此外，关注消费的数据验证情况。

格隆汇4月3日丨中金公司研报表示，近期全球人工智能技术发展迅猛，从Chatgpt到GPT4.0的诞生，技术进步的速度吸引了较高关注。人工智能作为能够带来较大变革的科技革命，也使得近期市场的交易主线集中在TMT板块，交易集中度一度突破40%。我们认为TMT板块在后市仍有望继续活跃，但估值中枢及交易集中度的提升可能会带来波动风险，未来行情的持续性和高度取决于产业新趋势及景气程度，需持续关注国内人工智能发展以及数字化建设进程。

格隆汇4月3日丨兴业证券研报称，上周TMT成交占比新高、市场一片过热的担忧声中，我们明确强调“成交占比的新高，往往是主线地位的确认”。经济与政策没有重大超预期、市场没有β行情，这是本轮数字经济逐渐成为市场共识与主线的宏观背景。数字经济尚处于底部区域：参考历史经验，广义拥挤度处于抬升趋势时，短期的情绪过热更多通过震荡、扩散来消化，往往不会造成行情的终结或系统性调整。从行情级别、产业趋势上，过去10年两轮行情可以提供参考与借鉴。

格隆汇4月3日丨华泰证券指出，2月台湾电子公司总销售额同比/环比分别下降8.1%/17.7%，显示半导体行业正处于下行周期。全球库存水位仍在调整中，终端产品需求复苏不明显，预计经过上半年生产调整后下半年有望逐步复苏。国内市场在ChatGPT等AI新应用带动下芯片、PCB、存储、封装工艺等板块轮涨，行情演绎从云端大算力芯片延续到边端推理侧芯片。此外，随着华为、OPPO等新机陆续发布，市场关注下半年消费电子产品迭代更新对相关供应链拉动。

格隆汇4月3日丨据经济日报，近年来，教育培训行业“退费难”“卷款跑路”等现象屡有发生。教育部办公厅等五部门近日联合印发了《校外培训机构财务管理暂行办法》，从财务管理体制、资金筹集、资金营运等方面作出规定，将有效防控经济活动风险，切实保障学生、家长及相关从业人员的合法权益。

格隆汇4月3日丨中金公司研报指出，站在当前时点，稀土指标尘埃落定，我们认为，随着国内下游需求复苏，稀土及磁材行业有望否极泰来。短期看，一是国内第一批稀土指标尘埃落定，短期最大不确定性已经落地；二是截至3月31日，氧化镨钕收报52.5万元/吨，已达到去年最低点且近期下滑速度有所放缓；三是我们认为，随着国内稳增长政策的发力，下游需求有望迎来全面复苏，稀土及磁材行业配置价值或终将回归。中长期看，此前特斯拉动力总成工程副总裁表示下一代永磁电机不用稀土材料[3]，但中短期内磁性能优异、体积小、重量轻的稀土永磁替代材料未得到充分研发，且碳中和背景下，稀土永磁应用场景广阔，我们认为，人形机器人等领域有望打开稀土永磁长期成长空间。

格隆汇4月3日丨格林美在互动平台表示，公司成立了氢燃料电池材料研究中心，研发汽车用氢燃料电池催化剂材料，主要致力于铂碳催化剂、铂钴合金催化剂、铂钴核壳结构催化剂的开发。目前公司研发的Pt/C催化剂与行业头部企业同系列产品性能相当。同时，公司已和国际头部车企开展氢燃料汽车智能拆解、电堆拆解、提取铂等贵金属技术的研究。

格隆汇4月3日丨天风证券研报表示，我们认为以GPT-4/ChatGPT为代表的预训练大模型或将催生未来对AI服务器的扩产需求，建议关注：服务器芯片：英伟达、AMD、Intel、寒武纪、海光信息、龙芯中科等；AI服务器制造：工业富联；图像数据资源及应用：大华股份、海康威视等；先进制造及封装：台积电、中芯国际、长电科技、通富微电等；企业级存储：澜起科技、江波龙、兆易创新等。

格隆汇4月3日丨博杰股份在互动平台表示，公司人工智能技术已经应用到工业质检设备中，涵盖消费电子，被动元器件等行业。

格隆汇4月3日丨格林美在互动平台表示，公司目前已经具备万吨级钠离子电池前驱体材料以及钠离子电池正极材料产能，并将有进一步钠离子电池材料产业规划。

格隆汇4月3日丨据台媒，铠侠（Kioxia）与威腾电子（Western Digital）宣布，推出最新款NAND Flash内存产品，为218层3D结构，透过制程改进，芯片资料密集度比上一代产品高出50%以上，现已开始样本出货，2023年内量产。