格隆汇9月7日｜高盛表示，由于市场预期日本央行将收紧货币政策、日本资本流动可能发生变化以及进一步干预的风险，在日元近期走强之后，战术性做多日元的理由已有所增强。“从更长周期来看，不对称性明显改善，对偏好风险的投资组合而言，做空美元/日元已成为久违的、更具吸引力的对冲策略，”包括Kamakshya Trivedi在内的策略师在报告中写道。高盛指出，日本央行行长植田和男“基本上证实了市场”对9月加息的“预期”，而关于日本政府养老金投资基金(GPIF)可能将资产配置转向国内资产的猜测，则增加了资本外流减少的前景。尽管全球背景仍对日元构成阻力，且“在没有出现增长担忧的情况下应该会持续下去”，但支持性的国内政策转变“在曾是主要下行压力源之后，如今应产生更大的影响”。日本决策者“似乎正致力于运用现有手段吸引资本流入”，同时保留了进行进一步干预的充足空间。

格隆汇9月7日｜国际要闻： 1、本周大事提醒 2、美股三大指数上周五集体收跌 存储、光通信板块逆势大涨 3、美国8月非农就业人数增加16.2万人 远超预期 4、美国6月和7月非农就业新增人数合计上修5.5万人 5、标普指数9月调整名单公布 多家科技股进入核心指数 6、特朗普称可能很快会打击伊朗“镐山”核设施 7、俄总统助理：普京与美总统特使会见超3小时 8、厄尔尼诺将达“超强”级别！或在年底达到顶峰 9、8月世界食品价格升至2022年12月以来最高水平 10、AI芯片撑起半壁江山 韩国今年出口剑指万亿美元 11、巴西大型锂矿项目被迫停工 是全球规模最大的硬岩锂矿床之一 12、苹果即将开启史上最大规模新品发布潮 13、Anthropic正接近确定大摩、高盛作为其估值约2万亿美元IPO项目的核心承销机构 14、英伟达系列GPU租赁价格多数上涨 大中华区要闻： 1、财政部大手笔注资银行、险企，总量达数千亿! 2、8家中央金融企业将补充资本 共增资3600亿元 3、A股上半年赚了3.58万亿元，5%公司拿走85%盈利 4、国家金融监督管理总局：将保险机构股东、实际控制人纳入监管范围 强化对主要股东、实际控制人的资质审核 5、中美据报拟于9月中旬举行AI安全会谈 6、私募个人合格投资者门槛：金融资产不低于500万或近三年年均收入不低于50万 7、七部门：探索算力设施800V高压直流供电架构 推动超百千瓦单机柜部署 8、七部门：持续推进智能工厂和绿色工厂创建 实施“智改数转网联”和绿色低碳技术改造 9、多位储能业内人士：有关部门正全面摸底产能 企业新建产能项目审批暂缓 10、一舱难求 中东航线运费大幅跳涨 11、AI短剧制作价格大跳水 短剧行业大洗牌 12、华为何庭波更新韬定律论文 13、香港证监会对4家券商个别账户进行限制 盈透、老虎据称已提供“跨境内幕交易”案可疑账户全套资料 14、DeepSeek被曝将采购16万颗华为昇腾950DT 15、北方华创宣布3D DRAM刻蚀取得重大突破：没有EUV也能造先进存储

格隆汇9月6日｜综合媒体消息，香港证监会8月28日刊登对4家券商个别账户的限制通知书，涉及<u>盈透、华泰、富途和中信</u>，通知书日期均为8月17日。此类账户限制措施属于证券调查中的临时性监管手段，<u>针对的是券商名下的特定可疑账户</u>，而非对券商机构本身作出行政处罚，核心内容通常为限制账户内的证券交易、资金划转与提取，主要用于防止涉案资产转移、固定相关证据。有市场人士分析，<u>监管行动可能与今年5月富途控股和老虎证券美股期权内幕交易事件有关</u>。 今年6月29日，海纳国际正式提起诉讼，指控约百名身份不明人士提前获悉中国5月22日整治违规跨境炒股监管行动，在处罚公布前两周异常大批量买入老虎证券和富途控股看跌期权，获利逾1亿美元。美国联邦法官下令冻结相关账户，传票发向了盈透证券、富途和老虎三家券商。 有消息称，海纳国际目前已接获由<u>盈透证券和老虎证券</u>提供的可疑账户全套资料，包括个人身份信息、家庭住址、电子邮箱及财务数据等核心内容。但<u>富途</u>并未直接向美方提供对应账户的资料，涉案被告在富途开设的账户记录，系由被告个人以《期权交易概要》形式，直接提交给美国法院。另有消息称，香港证监会8月曾赴<u>华泰金控</u>(香港)位于香港中环中心的办公室调查，部分员工接受问询。

格隆汇9月6日｜工行、农行今日宣布拟分别募资不超过1000亿元、1600亿元用于补充资本。东方财富证券研究所副所长、首席策略官陈果指出：“历史上看，银行大规模募资并不必然压制股价，国有大行资本补充后，银行板块反而呈现阶段性的相对收益改善。其背后可能在于，资本补充有助于缓解银行资本约束并降低市场对银行的风险折价，由此带来的估值修复一定程度上能够对冲股本扩张造成的EPS摊薄压力。”

格隆汇9月6日｜中国半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3D DRAM自主量产。 3D DRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段。其核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度。在西方对华EUV光刻机出口管制持续收紧的背景下，这一技术路线为中国存储芯片产业开辟了一条避开光刻壁垒的新路径。 据论文披露的数据，该工艺实现了超过500:1的硅锗与硅刻蚀选择比。在200纳米夹层结构中硅层单次损耗控制在10埃（1纳米）以内。更关键的是，在64对交替层堆叠结构中实现了超过95%的结构均匀度。业界分析认为，长鑫存储若能整合北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺，将大幅提升向3D DRAM自主量产演进的可行性。在无需依赖EUV光刻机的前提下，国产存储芯片厂商有望持续提升产品密度与性能。