2026-08-23 14:12 星期日
03-04 08:55
银河证券:当前证券板块估值处于历史低位 防御与反弹攻守兼备
格隆汇3月4日|银河证券研报表示,2026年是“十五五”规划的开局之年,在金融强国建设与资本市场深化改革的双重指引下,证券行业有望持续呈现稳健增长、结构优化、格局重塑的核心态势,流动性适度宽松环境延续、资本市场环境持续优化、投资者信心重塑等多方面利好因素共同推动证券板块景气上行。当前环境下中长期资金加速入市,市场活跃度维持高位,财富管理转型、国际化业务拓展、金融科技赋能均有望成为行业提升ROE的驱动力。当前板块估值处于历史低位,防御与反弹攻守兼备。建议关注综合实力强劲的头部券商,以及在财管、自营、跨境等业务领域具备差异化竞争优势的券商。
03-04 08:54
比亚迪将发布第二代刀片电池及闪充技术
格隆汇3月4日|据一财,比亚迪将于3月5日发布第二代刀片电池及闪充技术。2020年,比亚迪发布第一代刀片电池,推动其进入业务高速增长周期。随着第二代刀片电池消息释出, 比亚迪能否再次跑出技术先发优势值得关注。
SZ 比亚迪 HK 比亚迪股份
03-04 08:50
格隆汇3月4日|媒体援引知情人士称,中国消费电子公司小米的联合创始人林斌已达成协议,将以125亿美元的估值收购迈阿密海豚队1%的股份。
03-04 08:49
格隆汇3月4日|现货黄金上涨近1%,至每盎司5,137.04美元。
03-04 08:47
两市融资余额减少224.78亿元
格隆汇3月4日|截至3月3日,上交所融资余额报13338.64亿元,较前一交易日减少98.23亿元;深交所融资余额报12914.91亿元,较前一交易日减少126.55亿元;两市合计26253.55亿元,较前一交易日减少224.78亿元。
03-04 08:45
格隆汇3月4日|日经225指数日内跌幅扩大至3%。
03-04 08:43
格隆汇3月4日|现货黄金突破5130美元/盎司,日内涨0.84%。纽约期金突破5140美元/盎司,日内涨0.33%。
03-04 08:43
格隆汇3月4日|英国海上贸易行动办公室:已收到一起发生在阿联酋富查伊拉以东7海里的事件报告。船长报告称,该船被不明飞行物击中,导致钢板受损,全体船员安全。
03-04 08:42
格隆汇3月4日|日本东证指数日内跌幅扩大至3%。
03-04 08:42
国金证券:原油市场当前由地缘政治风险驱动 预计高波动率将持续
格隆汇3月4日|国金证券研报表示,原油市场当前由地缘政治风险驱动,预计高波动率将持续。市场已计入8-10美元/桶地缘风险溢价,持仓结构显示看涨情绪浓厚。价格等于基本面价格+地缘溢价,供需向下而溢价向上。伊朗事态或有三种情形:①有限打击,价格冲高后回落;②全面战争,极端脉冲上涨后衰退切换;③长期冲突,油价持续高位。2026年或继续累库,需求已受涨价反噬。特朗普中期选举目标下,油价前高后低概率大。
03-04 08:39
四部门给出科技保险解题思路
格隆汇3月4日|近日,科技部、国家金融监督管理总局、工业和信息化部、国家知识产权局四部门联合发布了《关于加快推动科技保险高质量发展 有力支撑高水平科技自立自强的若干意见》,以20项具体举措,清晰解答了科技保险“保障谁、保什么、怎么保”的核心命题,为我国科技创新量身打造全链条风险屏障,提供系统解题思路。
03-04 08:37
动武以来 美总统特使被曝未与伊朗进行外交接触
格隆汇3月4日|据央视,美政府高级官员表示,自美以对伊朗发动空袭以来,威特科夫未与伊朗外长阿拉格齐或其他伊朗官员交谈过。该官员还否认了有关威特科夫与伊朗最高国家安全委员会秘书拉里贾尼交谈过的报道,并称近几天已有10多个国家同特朗普政府联系过,但都没有涉及与伊朗的直接或间接对话。该官员称,“这是一场军事行动,必须让其按进程发展”。据悉,这反映出特朗普政府将继续对伊朗进行军事打击,至少目前已放弃外交努力。
03-04 08:37
格隆汇3月4日|澳大利亚S&P/ASX 200指数在第四季度GDP数据公布后基本持平,最新下跌1.5%,报 8941.40点。
03-04 08:37
中情局在美驻沙特使馆站点据报遭袭
格隆汇3月4日|据路透社援引消人士称,美国中央情报局(CIA)位于沙特阿拉伯的美国大使馆站点此前“遭到疑似伊朗无人机的袭击”。不过据这名消息人士称,“没有迹象表明伊朗无人机是冲着这处中情局站点来的。”目前中情局方面对此拒绝置评。沙特国防部3月3日称,美国大使馆遭到2架无人机的袭击,导致局部起火和一些物质损失。随后,使馆向身处利雅得、吉达和达兰的美国公民发布了“就地避险”通知,建议他们在另行通知前不要前往大使馆,并取消了针对美国公民的常规和紧急服务预约。
03-04 08:33
SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
格隆汇3月4日|据ZDnet,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。
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