国内最大的DRAM存储企业长鑫存储上市已受理，招股书披露公司25Q4利润超预期，同时长鑫技术加速迭代追赶全球先进水平，中信证券认为，未来长鑫上市有望持续拉动扩产，设备国产化率有望逐步提升，建议重点关注长鑫关联芯片公司，配套设备、逻辑代工、封测等产业链受益标的。

▍国内最大的DRAM存储企业长鑫存储IPO已受理。

12月30日，根据证监会官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（下文简称“公司”）IPO审核状态更新为已受理。据公司招股书，第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业，直接持有公司21.67%股份，公司持有长鑫存储100%股权。公司2024年营收/净利润为242/-91亿元，2025年前三季度321亿收入，净亏损60亿，单三季度收入166亿，净亏损19亿；但2025全年是550~580亿收入，20~35亿利润。25Q4单季度229~259亿收入，80~95亿利润，单季度极速扭亏并释放利润。

▍存储涨价长鑫盈利大幅改善，中信证券看好本轮景气持续强劲下存储厂商受益。

DRAM价格激增，长鑫25H1毛利率4.63%，25Q3单季毛利率35%，净利润亏损，Q4净利率35%-40%。当前合约价涨幅落后，中信证券判断合约价在25Q4到26H1涨幅将超过现货价。缺货周期下26Q1涨幅有望超预期（当前合约价涨幅预期约30-40%），预计存储缺货有望持续至2027年，看好涨价受益的存储厂商及长鑫客户。

▍长鑫披露募投金额，上市有望加速扩产，设备厂商受益。

长鑫本次拟募集资金295亿，项目投资345亿，其中90亿用于技术研发，255亿用于技改/技术升级（扩产）项目，估算约80%比例——约200亿元用于设备采购。长鑫存储目前已在合肥、北京共建有3座12英寸的晶圆厂并投产，招股书假设2026年此三座晶圆厂达产。根据芯极速报道，2024Q1，长鑫存储的月均DRAM产量为10万片，约为SK海力士同期产量的四分之一，且产品以DDR4 DRAM为主；到了2025Q1，长鑫存储的月均产量已实现翻倍，达到20万片。持续的产能扩充将望显著拉动半导体设备的采购需求，相关半导体设备公司受益。

▍长鑫跳代研发，迭代追赶全球先进水平，看好产业链配套环节。

据招股书，长鑫采取“跳代研发”策略完成了第一代到第四代工艺技术平台的量产。TechInsights报道，尽管评估显示长鑫存储DDR5技术与韩国头部企业存在3-4年的代际差距，但其产品性能与头部企业产品并无显著差异。预计未来产能有望全部切换至4F²+CBA工艺新增逻辑晶圆1:1配套存储晶圆，重点关注配套逻辑代工厂商及封测等环节。

▍风险因素：

AI应用及云厂商资本开支不及预期；存储周期景气度不及预期；行业竞争加剧；新技术研发进展缓慢；国际地缘政治冲突等。

▍投资策略：

预期长鑫存储上市后扩产将持续加速，实现先进存储芯片的国产替代，国内先进存储链有望持续受益。建议重点关注设备、封测、模组及IC载板产业链相关公司。1）芯片设计及关联企业；2）存储设备；3）封测；4）逻辑晶圆代工；5）厂房建设。

注：本文节选自中信证券研究部已于2025年12月31日发布的《晨会》报告，分析师：徐涛S1010517080003；王子源S1010521090002；夏胤磊S1010521080005；程子盈S1010523030002；雷俊成S1010520050003