韩媒:中国存储芯片全面冲击AI时代,三星、SK海力士迎来最强竞争者

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IPO融资、国家资本、人才回流与技术突破同步推进,中国存储产业正向HBM、CXL发起全面攻势

产联社编译

中国存储芯片产业正从传统DRAM和NAND市场,加速向人工智能时代的高端存储领域发起全面冲击。凭借资本市场融资、政府支持、人才回流以及下一代存储技术布局,中国企业正在挑战三星电子和SK海力士长期占据的全球领先地位。

韩国媒体报道称,中国最大DRAM厂商长鑫存储(CXMT)正在安徽合肥建设先进研发生产线,重点开发混合键合(Hybrid Bonding)等下一代存储技术,并已正式进入高带宽存储器(HBM)研发领域。与此同时,中国最大NAND厂商长江存储(YMTC)则依靠Xtacking(晶栈)架构,在部分下一代NAND技术上取得领先优势。

业内人士认为,中国企业已不再满足于传统低端存储产品,而是开始向人工智能服务器、高性能计算等高附加值市场全面扩张。

IPO融资推动扩产,资本成为新竞争优势

相比过去主要依赖政府补贴,中国存储企业正开始借助资本市场获得持续融资。

据新京报报道,长鑫存储正筹备登陆上海证券交易所,计划募集295亿元人民币,用于DRAM技术升级和研发投入;长江存储也正在推进上市计划,目前两座晶圆厂月产能约20万片,第三座工厂预计年底投产。

与此同时,中国AI芯片产业链企业也密集启动融资:

- AI芯片企业昆仑芯计划赴港上市,目标估值约500亿美元(约合3400亿元人民币);

- GPU厂商摩尔线程已完成科创板上市融资约80亿元人民币;

- AI芯片公司壁仞科技近期完成香港IPO,募资56亿港元;

- 光通信企业上海羲禾也正在推进科创板上市扩产。

韩国业内人士认为,如果这些IPO资金持续投入HBM和传统存储扩产,将对韩国企业形成长期竞争压力。

中国DRAM份额快速提升,HBM差距持续缩小

市场数据显示,截至2026年第一季度,长鑫存储全球DRAM市场份额已升至8%,相比两年前几乎可以忽略不计,实现快速增长。

目前,中国企业正重点布局HBM3、HBM3E及后续产品。虽然三星和SK海力士已进入HBM4、HBM4E量产竞争阶段,但韩媒《首尔经济日报》仍认为,中国与韩国在HBM上的技术差距已由五年以上缩小至约三年。

由于美国出口管制,中国企业无法获得ASML极紫外(EUV)光刻机,因此正通过多重曝光(Multiple Patterning)、混合键合等技术路径绕开限制。

其中,长鑫存储已将约20%的产线投入HBM研发,并同步推进键合DRAM(Bonded DRAM)和CXL DRAM等下一代存储产品开发。

下一代存储技术成为竞争焦点

除HBM之外,中国企业还在多个关键技术方向展开布局。

在NAND领域,长江存储自主研发的Xtacking架构已迭代至4.0。截至2023年,公司拥有119项相关核心专利,超过三星(83项)和SK海力士(11项)。

韩国媒体称,三星甚至已与长江存储签署部分专利许可协议,用于下一代430层NAND产品研发。

与此同时,长鑫存储正测试无需EUV即可实现高密度制造的键合DRAM技术,并联合本土企业开发CXL 3.0产品,希望抢占“后HBM时代”市场。

构建“中国版AI芯片生态”

韩国媒体认为,中国正在复制一套完整的本土AI半导体生态体系。

其中,华为负责AI芯片设计,中芯国际承担晶圆制造,长鑫存储和长江存储提供存储产品,共同构建国产AI计算平台。

华为最新推出的昇腾(Ascend) AI生态已成为DeepSeek等中国大模型的重要算力平台。报道称,包括腾讯、字节跳动等企业正在采购华为最新AI芯片,用于训练最新的人工智能服务。

市场研究机构IDC预计,2026年中国本土AI芯片在国内市场占有率将由去年的40%提升至90%。

此外,中国于2024年设立第三期国家集成电路产业投资基金,总规模3440亿元人民币,重点支持电子设计自动化(EDA)、先进封装、HBM等关键技术发展。

人才与设备同步突破

除资金投入外,中国企业还持续加大高端人才引进力度。

韩国媒体称,多家中国大陆企业长期通过高薪招聘、设立海外子公司及产学研合作等方式吸引韩国、中国台湾及海外半导体人才。部分企业提供最高相当于中国大陆平均薪资10倍、三星员工约3倍的薪酬待遇。

与此同时,中国本土半导体设备产业也不断成长。

北方华创(Naura)已在沉积、刻蚀设备领域与美国设备公司展开竞争;长江存储封装合作伙伴长电科技(JCET)则在2.5D先进封装领域跻身国际领先企业行列;国产光刻设备企业新凯来技术有限公司(SiCarrier)也正在推进EUV光刻技术研发。

不过,韩国业内人士指出,中国在先进制程及HBM领域与国际领先企业仍存在一定差距。如三星和台积电已进入2纳米竞争;长鑫存储计划2026年推出HBM产品,整体技术预计仍落后国际领先厂商约两至三年。

韩国专家认为,美国出口管制为韩国企业争取了发展窗口期,但这一优势不会长期存在。未来几年,谁能够在HBM、先进封装和下一代存储技术上继续保持领先,将决定全球人工智能存储产业的新格局。

文章参考来源:《中国芯片制造商凭借资金、人才和国家支持,挑战三星、SK海力士在人工智能存储器领域的主导地位》,KED Global


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