一. 驱动逻辑

（1）需求端：AI场景带来非线性增量

AI服务器功率密度从传统10-20kW跃升至100kW以上，驱动AI电源相关功率器件用量及价值量大幅增长。

（2）供给端：高端产能挤占

功率半导体高度依赖8英寸晶圆成熟制程，新增产线爬坡周期长，短期产能弹性极低；

英飞凌、安森美、意法半导体等全球头部供应商将产能向AI高端应用倾斜，对其他细分板块形成产能挤占，交期拉长。

（3）价格端：海外龙头领涨，国内厂商跟涨

英飞凌、德州仪器自2026年起已进行多轮调价，国内企业陆续跟进；

据经济日报8月18日报道，中国台湾地区功率半导体厂商正酝酿第三波价格调整，最快10月起涨价。

二. 功率半导体概览

功率半导体是电力电子系统的核心器件，专门用于电能转换、控制、分配与电路保护，属于成熟制程产品，广泛用于所有需要电能变换的领域。

2.1 作用

（1）电能转换：AC-DC、DC-DC、DC-AC、AC-AC。

（2）电能控制：通过控制器件的导通/关断状态，实现对电压、电流、频率、相位的调控。

（3）电路保护：提供过流、过压、过热保护，保障设备安全运行。

2.2 分类

（1）第一/二代：硅基，如二极管、晶闸管、功率晶体管（MOSFET、IGBT、BJT）。

（2）第三代：碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)基，如SiC MOSFET、GaN HEMT，核心优势是工作温度更高、开关损耗更低、系统体积更小。

三. 主流品类

3.1 MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）

（1）特点：应用最广泛的功率器件，采用栅极-氧化层-沟道结构，开关速度极快、驱动功率小，适用于中低压及高频场景。

（2）应用：开关电源、DC-DC转换器、快充适配器、服务器电源（VRM、电源模块）、BMS、电机驱动等。

3.2 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

（1）特点：融合MOSFET与BJT优势的复合器件，采用MOS栅极驱动+双极型导通结构，高压下损耗低，适用于高压大电流场景。

（2）应用：中压IGBT用于新能源车电控、光伏逆变器、储能变流器、工业变频器等；超高压IGBT用于轨道交通（牵引变流器）、电网（SVG）等。

四. 全球市场格局

4.1 IDM（垂直整合制造）

IDM即设计、制造、封测一体化，是功率半导体行业的主流模式。

（1）海外：英飞凌（德）、安森美（美）、意法半导体（瑞）、德州仪器（美）、罗姆（日）、东芝（日）、三菱电机（日）、富士电机（日）。

（2）国内：华润微、士兰微、扬杰科技、时代电气、捷捷微电、华微电子。

4.2 Fabless（无晶圆厂）

轻资产运营，聚焦芯片设计，晶圆制造与封测外包。

（1）海外：MPS（美）、Power Integrations（美）。

（2）国内：新洁能、东微半导、斯达半导。

4.3 Foundry（晶圆代工）

专注晶圆制造环节，为Fabless厂商提供代工服务。

（1）海外：三星（韩）、联电（台）、力积电（台）、世界先进（台）、格芯（美）。

（2）国内：芯联集成。