前言：6月26日工商时报报道，硅晶圆行业经过近两年库存调整，景气回升趋势明显，台三大晶圆厂合晶、台胜科、环球晶圆相继释出涨价讯号。

一. 硅片分类

硅是地壳含量第二的元素，具备优异的半导体特性、热稳定性与机械加工性能，是制造集成电路、光伏电池的主要材料：

（1）半导体硅片：纯度9N-11N，作为芯片制造基底材料，支撑后续光刻、蚀刻等工艺，形成晶体管和电路结构。

（2）光伏硅片：纯度5N-6N，作为电池片基材，晶体缺陷容忍度、表面精度等性能指标要求略低。

二. 半导体硅片分类

2.1 按尺寸分类

硅片尺寸越大，单片可制造的芯片数量就越多，芯片单位成本随之降低，故大尺寸化是长期趋势。

（1）12英寸：市场占比75%，用于逻辑芯片（如CPU、GPU）、存储芯片（如DRAM、NAND Flash）。

（2）8英寸：市场占比20%，用于成熟制程，如MCU、模拟芯片、功率器件。

（3）6英寸：市场占比5%，用于二极管、晶闸管等分立器件。

2.2 按工序分类

（1）抛光片：基础产品，经切割、研磨、抛光制成，其他硅片产品均基于抛光片进行二次加工。

（2）退火片：抛光片经高温退火处理，消除晶格缺陷、提升表面平整度，适配先进制程。

（3）外延片：抛光片表面气相沉积单晶硅层，可精准调控电阻率，适配CIS、功率器件。

（4）SOI片：采用硅-绝缘层- 硅三层结构，可实现高电绝缘性，适配射频前端、汽车电子。

2.3 按掺杂分类

（1）轻掺硅片：低掺杂浓度，电阻率高、晶格缺陷少，适配先进制程逻辑、存储芯片。

（2）重掺硅片：高掺杂浓度，电阻率低，适配功率器件、模拟芯片。

三. 制备工艺及行业格局

3.1 制备流程

核心环节：高纯多晶硅制备→单晶拉制（直拉法/区熔法）→晶棒截断滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→检测封装。

3.2 行业特征

（1）重资产长周期：单条产线投资达数十亿元，扩产周期18-24个月。

（2）高壁垒：对硅片平整度、缺陷密度等要求逼近物理极限，产品认证周期长，客户粘性极强.

（3）强周期属性：供需格局与下游晶圆厂扩产节奏强相关，错配易引发价格波动。

（4）寡头格局：信越化学（日）、SUMCO（日）、环球晶圆（台）、Siltronic（德）、SK Siltron（韩）五大厂商合计全球市占率超90%。

3.3 国内供应格局

沪硅产业：国内12寸半导体硅片龙头，产品覆盖全品类，绑定全球主流晶圆厂供应链。

立昂微：国内重掺半导体硅片龙头，产品覆盖6-12寸抛光片、外延片，同时布局功率半导体。

有研硅：主营半导体硅抛光片、刻蚀设备用硅材料、半导体区熔硅片，收购DGT实现从硅材料到硅部件的业务延伸。

神工股份：主营刻蚀设备用单晶硅材料、硅零部件、12英寸半导体抛光片。

上海合晶：专注低阻重掺硅片，8寸重掺外延片国内领先，深耕功率器件与模拟芯片。