一. 驱动逻辑

（1）需求端：AI场景带来非线性增量

据安森美测算，AI单机柜功率从传统120kW跃升至1000kW+，驱动功率半导体用量非线性增长，价值量大幅跃升；核心来自两重叠加：

VRM相数从传统服务器的6-8相提升至32相以上，器件数量成倍增长；单颗器件承载电流提升，芯片面积扩大3-5倍，晶圆消耗显著增加。

（2）供给端：扩产周期长，高端产能挤占

功率半导体厂商多为IDM模式，全新晶圆厂扩产周期长达3-4年，短期产能弹性极低。

当前英飞凌、安森美等大厂产能接近满载，且优先将产能向高毛利的AI电源、车规级产品倾斜，导致中低端市场供给缺口增大。

（3）价格端：海外龙头领涨，国内厂商跟涨

英飞凌2026年已落地两轮涨价，第二轮7月1日生效；德州仪器已完成年内第四轮提价；国内新洁能、捷捷微电等跟涨。

二. 功率半导体概览

功率半导体是电力电子系统的核心器件，用于电能转换、控制、传输、保护，属于成熟制程产品。

其广泛用于需要电能变换的领域：新能源汽车、光伏储能、AI服务器、工业控制、消费电子、轨道交通、电力电网等。

2.1 作用

（1）电能转换：AC-DC（交流转直流）、DC-DC（直流转直流）、DC-AC（直流转交流）、AC-AC（交流转交流）。

（2）电能控制：通过控制器件的导通/关断状态，实现对电压、电流、频率、相位的调控。

（3）电路保护：提供过流、过压、过热保护，保障设备安全运行。

2.2 分类

（1）第一代：硅基，如二极管、三极管、晶闸管、MOSFET（中低压领域）、IGBT（高压领域）。

（2）第二代：碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)基，如SiC MOSFET、GaN HEMT。

三. 主流品类

3.1 MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）

（1）特点：应用最广泛的功率器件，采用栅极-氧化层-沟道结构，开关速度极快、驱动功率小，适用于中低压及高频场景。

（2）应用：消费电子快充、汽车电子（BMS、OBC、DC-DC变换器）、服务器电源（VRM、电源模块）等。

3.2 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

（1）特点：MOSFET栅极与双极型晶体管（BJT）的复合器件，开关速度中等、高压下通态损耗低、适用于高压大电流场景。

（2）中压IGBT（600V-1200V）：用于汽车电子（电控）、光伏逆变器、储能变流器、工业变频器、伺服系统等。

（3）超高压IGBT（1700V以上）：用于轨道交通（牵引变流器）、电网（电网无功补偿装置SVG）等。

四. 市场格局

（1）海外头部厂商：英飞凌（德）、安森美（美）、德州仪器（美）、意法半导体（法）、三菱电机（日）、富士电机（日）、罗姆（日）。

（2）国内头部厂商（按8寸产能排名）：芯联集成、捷捷微电、华润微、士兰微、扬杰科技、新洁能、斯达半导。