
如何看待半导体减持潮?招商证券电子首席鄢凡:一二期退出属正常回收,三期70%猛攻设备材料“卡脖子”
【核心观点】
1、本轮芯片行情核心驱动力来自AI算力需求超预期、存储涨价超级周期和国产替代三重共振,叠加两存IPO催化,产业链传导路径为:存储→封测→设备材料→晶圆代工。
2、韬τ定律以“时间缩微”替代“几何缩微”,使成熟制程可实现等效先进制程性能,为国产芯片提供不依赖EUV的可持续演进路径,先进封装、晶圆代工、设备材料三大环节确定性受益。
3、本轮存储周期与以往不同:需求从消费电子切换为AI驱动的结构性增长,HBM重塑产能分配,地缘双轨化带来国产化保护。今年DRAM供需缺口约8%、NAND约5%,紧缺或延续至2027年。
4、两存扩产确定性显著增强,对设备材料的拉动不仅来自产能扩张,更来自技术升级带来的单位投资额抬升,国产设备厂商同时受益于“量”和“价”双重提升。设备国产化率从2021年9%提升至2025年21%,低国产化率环节一旦突破弹性更大,已验证环节随着两存扩产有望继续提升份额。
5、半导体材料国产化从0→1进入1→10阶段,CMP抛光液/垫、靶材、掩模版等已形成突破,未来将呈现“成熟耗材先放量、高端材料逐步突破”的结构性趋势。
6、AI Agent时代CPU:GPU配比从1:8向1:1演进,DeepSeek-V4天然适合国产算力生态,国产CPU迎来结构性窗口期。
7、出口管制倒逼国产替代从“备选”变“必选”,大基金三期约70%投向设备材料国产化,30%投向先进封装与AI存储,有望通过长期资金支持和产业资源倾斜支持国产替代进程。
8、国产设备高估值受扩产需求和国产化率提升双重影响,后续可通过订单放量、规模效应释放和利润率改善消化估值。但半导体产业个股分化大、壁垒高,普通人借道指数布局是更优解,如对设备、材料、CPU/GPU和晶圆制造同时布局的中证半导体产业指数,截至最新年内涨幅跑赢超一半成份股,长鑫存储含量53%、国家大基金含量超60%。
以下内容整理半导体设备ETF招商(561980)特邀招商证券电子行业首席分析师鄢凡,6月3日路演直播《首席连线:韬τ定律破芯局,半导体后市怎么看?》。
【实录精华】
1、今年以来芯片板块领涨,核心驱动力是什么?产业链传导逻辑如何?
2026年芯片板块领涨市场的核心驱动力,主要来自三条主线共振:
一是AI算力需求持续超预期,全球AI产业从模型训练向推理端延伸,云厂商资本开支持续上修,直接拉动GPU、ASIC及高端存储芯片需求放量;
二是存储芯片进入涨价超级周期,NAND Flash第二季度合约价预估季增58-63%,头部厂商持续上调报价,供给短缺与涨价态势从存储向全产业链逐层蔓延。
三是国产替代叠加两存IPO形成资本催化,两大头部存储企业通过大额融资实现产能扩容,有望直接拉动上游设备、材料、封测环节的订单增量。
芯片产业链传导节奏比较清晰:供需错配叠加两存IPO催化,存储率先启动成为“发令枪”;随后传导至封测,先进封装产能紧缺、各大厂商开始涨价;其次扩散至设备与材料,存储原厂扩产和先进逻辑产线建设同步推进,集中释放对刻蚀、沉积、清洗、检测等设备的采购需求;最后是晶圆代工战略价值迎来系统性重估,韬τ定律有望打开成熟制程价值空间。
2、韬τ定律对国产半导体产业链的实际指导意义如何?哪些环节受益?
韬τ定律以“时间缩微”替代传统“几何缩微”,通过逻辑折叠等技术在成熟制程上实现等效先进制程性能,为国产芯片提供了一条不依赖EUV的可持续演进路径,华为已基于此量产381款芯片,预计2031年晶体管密度可达1.4纳米同等水平。
落地过程中三大环节确定性受益:一是先进封装,逻辑折叠与2.5D/3D封装、Chiplet、混合键合深度绑定,封测环节从末端跃升为价值核心;二是晶圆代工,成熟制程战略价值大幅提升,国内代工厂产能有望逐步扩张;三是设备、材料和EDA,3D堆叠架构使刻蚀、沉积步骤成倍增长,国产设备厂商持续受益,EDA也迎来替代机遇。
3、本轮存储周期与此前有何不同?供需缺口和全球格局如何?
本轮周期与以往有三大不同:一是需求端从消费电子切换为AI驱动的结构性长增长,下游集中走长协锁货,价格中枢抬升、波动减小;二是HBM重塑产能分配,三大原厂主动退出传统产品,为国内厂商留出窗口期;三是地缘双轨化,国产存储在国内市场享有结构性保护,这是过去周期不存在的全新产业环境。
供需层面,根据宇瞻数据,今年DRAM供需缺口在8%左右,NAND供需缺口在5%左右,当前行业供需紧缺或将延续至2027年。2026年虽然海外三大原厂资本开支同比大幅增长,但实际新增有效产能有限,大部分要到2027下半年才开始逐步释放,预计供需缺口将会持续,存储产品价格也将持续强劲。
全球DRAM格局:三星38%、海力士29%、美光22%,长鑫份额已升至约8%并向10%以上突破;NAND格局:三星30%、铠侠18%、海力士15%,长江存储份额约10%。
4、两存上市扩产预期对上游设备/材料的拉动作用
两存扩产确定性显著增强,对设备材料的拉动不仅来自产能扩张,更来自技术升级带来的单位投资额抬升。不管是DDR4向DDR5、HBM演进还是高层数3D NAND推进,设备厂商同时受益于“量”和“价”双重提升。从扩产节奏看,从规划到设备交付约6-12个月,完整产能释放需9-18个月。整体扩产方向明确,国产设备在先进存储产线中的导入比例持续提升。
5、半导体材料设备国产化率走到哪一步了?
设备整体国产化率从2021年9%提升至2025年21%,但结构分化明显:清洗50%、CMP40%、热处理40%、刻蚀30%、薄膜沉积30%,而涂胶显影约5%、检测量测低于10%。材料国产化已从0→1阶段进入1→10阶段,CMP抛光液/垫、靶材、掩模版、刻蚀用硅部件等已形成突破,进入验证—重复订单—份额提升的链条。
后续随着两存先进存储产线持续扩产,国产设备有望率先在已验证环节继续提升份额,同时带动低国产化率、高价值量环节加速突破,形成较大的中长期国产替代弹性。
6、AI Agent如何改变算力架构?对国产CPU有何影响?国产芯片与大模型适配度如何?
英特尔、AMD、英伟达一致判断,CPU:GPU配比从训练阶段的1: 8向推理阶段的1:4演进,未来可能走向1:1甚至更高。英伟达将Vera CPU定位为Agentic AI专用CPU,预计打开2000亿美元新市场。
对国产CPU而言,通用算力需求结构性扩张叠加国产替代加速,正迎来难得的产业窗口期。适配度方面,DeepSeek是过去一年最重要的拐点——其MoE架构降低绝对算力要求,天然适合国产芯片生态,DeepSeek V4发布首日昇腾即完成适配。
7、出口管制和大基金一、二期的退出以及三期对板块有何影响?
出口管制短期冲击晶圆厂资本开支和验证周期,但中长期倒逼国产替代从“备选”变“必选”,尤其利好成熟制程设备、零部件、电子材料。大基金一期、二期退出属于产业基金的正常投资回收;三期规模更大,约70%投向设备材料国产化,30%投向先进封装与AI存储,并前瞻布局AI芯片、具身智能,有望通过长期资金支持和产业资源倾斜支持国产替代进程。
8、国产设备80倍PE是“泡沫”还是“成长折现”?
国内设备企业高估值源于双重逻辑:国内晶圆厂扩产、存储/逻辑/成熟制程产线建设持续拉动需求,叠加国产化率提升带来的份额增长。当前产业高研发投入压制利润,静态PE偏高,后续可以通过客户验证放量、平台化推进、规模效应释放,来实现订单增长、收入放量和利润率改善从而消化估值。
参与策略上,避免在情绪过热时追涨,保留仓位分批参与。半导体产业个股分化大、壁垒高,截至6月2日,在中证半导体产业指数年内涨超50%的背景下,40只成份股中有一半跑输指数,借道指数布局或是更优解。该指数设备+材料含量80%,CPU/GPU/晶圆代工含量20%,前十大集中度高达77%,高弹性特征突出,有望全面受益于韬τ定律落地、两存扩产、算力需求井喷和国产替代加速。
半导体设备ETF招商(561980) 跟踪中证半导体产业指数,“长鑫存储”含量53%、“国家大基金”含量超60%,前十大权重北方华创+中微公司合计占比27%、寒武纪+海光信息合计15%、中芯国际6%,拓荆科技、长川科技、华海清科合计占比21%。截至6月3日,标的指数2020年以来累计涨超398%、近一年涨幅达148%,多阶段表现在科创芯片、半导体材料设备等同类指数中位居第一,有望在新一轮半导体上行周期中更具弹性。

中证半导体产业指数由中证指数有限公司编制和发布。指数编制方将采取一切必要措施以确保指数的准确性,但不对此作任何保证,亦不因指数的任何错误对任何人负责。指数运作时间较短,不能反映市场发展的所有阶段。
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