就在今天凌晨，韩国存储巨头SK海力士发布了“史诗级”的2026年一季报。

一季度，公司实现营收52.58万亿韩元（约355亿美元），同比激增198.1%；营业利润更是高达37.61万亿韩元（约254亿美元），同比暴增405.5%，均刷新公司成立以来的单季最高纪录。

更让人震惊的是，公司净利润达到40.34万亿韩元（约273亿美元），同比飙升397.6%，远远超过分析师预期的31.95万亿韩元。

而营业利润率更是飙升至72%，净利润率达到了77%，堪称存储芯片史上最强的“印钞机”。

受此影响，SK海力士股价一度飙升3.5%，创下历史新高，年初至今涨近90%。

同时，业绩推动韩国KOSPI指数盘中升超2%，一度突破6500点大关，现涨0.28%。

AI时代的"印钞机"

SK海力士交出了一份几乎是“AI时代最强”的成绩单。

一季报显示，营收52.6万亿韩元，同比暴增198%；净利润40.3万亿韩元，同比飙升397.6%；运营利润37.61万亿韩元，同比暴增405.5%。

从季度业绩上看，销售额更是首次突破50万亿韩元大关，营业利润率达到72%。

这意味着每卖出10块的芯片，其中就有7块是利润，堪称存储芯片史上最强的“印钞机”。

SK海力士表示，尽管第一季度通常是季节性淡季，但在AI基础设施投资扩大的推动下，市场需求持续强劲。

公司通过扩大高带宽存储器（HBM）、大容量服务器DRAM模块、企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品的销售，延续了业绩上升势头。

截至第一季度末，公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元。

与此同时，借款额减少2.9万亿韩元，降至19.3万亿韩元，实现了35万亿韩元的净现金头寸。

随着人工智能从以“大型模型训练”为中心，进化为在各种服务环境中反复进行实时推理的“代理式人工智能（Agentic AI）”阶段，存储器需求的基础正扩展至DRAM和NAND闪存所有领域。

SK海力士预测，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。

另外，在HBM方面，SK海力士将进一步加强整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力。

并且在DRAM方面，公司将全面启动全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR6 DRAM，以及基于同一工艺并于本月开始量产的192GB SOCAMM2的供应。

TrendForce数据显示，SK海力士2025年占据全球HBM市场59%的份额，2026年预计仍将维持50%以上的领先优势。

而在利润最丰厚的HBM4赛道，Counterpoint Research预测2026年市占率将达54%。

更最关键的筹码在于，SK海力士已经锁定英伟达下一代Vera Rubin平台三分之二以上的HBM4订单，部分机构甚至预测占比有望突破70%。

大手笔布局芯片先进封装

当就在财报发布前一天，SK海力士在在韩国忠清北道清州市举行了先进封装设施P&T7的奠基仪式。

这标志着SK海力士在AI存储器制造领域迈出了关键且坚实的一步。

P&T7堪称一座“巨无霸”工厂，总投资高达19万亿韩元（约合129亿美元），占地面积达23万平方米。

如此大规模的投资与占地，更是显示了SK海力士在该项目上的决心与魄力。

工厂将专注于制造HBM等AI存储器产品，来满足日益增长的市场需求。

值得一提的是，这笔投资并不是孤立事件，而是SK海力士系统性扩张战略的缩影。

就在去年，SK海力士资本支出约29万亿韩元，而2026年预计将同比增长约24%，远超三星同期约3.7%的资本开支增速。

公司也正将清州M15X晶圆厂约50%的产能转向HBM生产，并规划进一步扩建M15Y和龙仁园区，目标剑指2027年底DRAM总产能爬升至每月约70万片。

其中，HBM占比将从当前的个位数大幅跃升至20%以上。

SK海力士表示，将以韩国清州M15X产能爬坡和龙仁集群为核心，推进基础设施建设及EUV等核心设备引进，为此今年的投资规模将同比大幅增加。

公司将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长。也将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务稳健性。