【中信证券新材料】长鑫存储HBM3样品通过测试认证，建议关注产业链内细分材料龙头供应商

⭕据存储世界6月19日消息，长鑫存储（CXMT）正在积极推进由三星电子和SK海力士领衔的HBM3（第三代高带宽存储器）技术。长鑫存储科技已完成HBM3样品的开发，近期已与多家中国AI硬件初创公司完成测试，并与中国领先的AI公司签署了试点合同。长鑫存储计划于2026年初开始向AI加速器、GPU和数据中心客户供货。如果长鑫存储成功供应HBM，它将成为继SK海力士、三星和美国美光之后，全球第四大HBM3供应商。

⭕2025年HBM需求增长94%，HBM3e将占据2025年出货份额超过90%。人工智能的兴起，直接拉动了HBM市场发展，根据证券时报消息，2025年HBM总需求年增长94%，2026年增速将回落至50%以下，但仍远超整体DRAM增长水平。根据集邦咨询，HBM技术每两至三年迭代一代，但未来两年将加速推进，预计HBM3e将占据2025年出货份额超过90%，2026年HBM4将开始渗透市场，预计2026年第二季度量产。

⭕Omdia预计2025年长鑫存储大幅扩产，月均产能2026年将达30万片，将重塑全球DRAM市场竞争格局。长鑫存储是国内DDR4主要供应商，根据Omdia，2024年初，长鑫存储月均DRAM晶圆产量为10万片（以DDR4为主），相当于SK海力士的四分之一。至2025年一季度，该数字已翻倍至20万片，预计2026年将达30万片。预计长鑫存储（CXMT）2025年的DRAM产量将达到273万片，比2024年的162万片增长68%，远远超过之前的预期（20%左右）。按照这一发展态势，预计长鑫存储的DRAM产量将很快接近美光，达到SK海力士的50%。DRAM市场可能会在未来一到两年内从长期的“三巨头”结构演变为四家竞争。

⭕长鑫存储成功供应HBM3叠加其大幅扩产有望进一步带动上游材料端需求增长。同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，我国半导体产业的对内需求重要性凸显，尤其是先进制程、先进封装相关环节以及AI芯片、HBM等前沿但国内仍然相对薄弱的“卡脖子”环节，国产化率有望进一步提高，建议重点关注AI投资主线下算力、存储相关的半导体新材料。

⭕重点推荐：安集科技（CMP抛光液）、鼎龙股份（CMP抛光垫）、兴福电子（湿电子化学品）、联瑞新材（球形硅微粉）、彤程新材（光刻胶）、雅克科技（半导体前驱体）、中船特气（电子特气）、正帆科技（高纯介质供应系统），推荐：华特气体（电子特气）、江化微（湿电子化学品）、晶瑞电材（光刻胶及其配套试剂），建议关注上海新阳、中巨芯、华海诚科。