格隆汇10月21日｜据ZDNET Korea，Groq正考虑将三维堆叠DRAM的封装技术应用于下一代芯片。这意味着将使用DRAM替代现有的SRAM。业内人士将此举解读为通过摆脱目前以SRAM为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。据悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。3D封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统的2D封装相比，能够减小芯片表面积并提高能效。