格隆汇8月29日｜摩根士丹利指出，中国储存厂商的崛起不能单纯视为技术追赶或低价替代，真正值得关注的是其产能规模可能逐渐大到足以改变全球存储器市场的供给结构。长鑫科技与长江存储目前正从主流产品市场切入，并逐步向HBM、高阶服务器DRAM及企业级SSD等高利润市场延伸。

大摩将2028年视为观察全球存储器竞争格局的重要时间点。2026至2027年，AI需求强劲、先进存储器供给吃紧，仍可能吸收中国新增产能；但到了2028年以后，随着中国扩产、全球既有大厂扩产陆续落地，以及需求周期可能出现变化，全球存储器产业可能迎来供需结构的重要考验。

大摩预估，长鑫DRAM月产能将由2025年的18万片晶圆，增加至2026年的30万片，约占全球DRAM晶圆产能13%、位元出货量约11%；到2028年进一步提升至50万片，2031年则可能达到80万片。若扩产顺利，长鑫到2030年的全球DRAM位元出货市占率可能接近15%，甚至有机会在2028年前后以产能规模超越美光，成为全球第三大DRAM供应商。

NAND市场尤其取决于AI SSD需求与长存扩产速度。大摩的情境分析显示，如果长存2028年月产能维持约31万片，而AI SSD需求仍保持较高成长，市场供应仍可能偏紧；但若长存产能提高至接近47万片，同时AI SSD需求增速下降，市场就可能快速转向明显过剩。