格隆汇8月9日｜高盛发表深度研报指，记忆体基本面极为强劲，当前两大龙头2027年预估市盈率(P/E)已降至3.5倍至3.6倍的历史极低位，重申三星与SK 海力士“强力买进”评级。记忆体产业正处于由AI算力基础设施爆发(HBM + eSSD)所驱动的超级周期。

1、2027年HBM价格还有多少上行空间？高盛核心结论：预计2027年HBM平均售价(ASP)将暴增约100%。预期三星与SK海力士的HBM综合ASP在2027E将接近2.9美元/Gb，按年分别大增87%与100%(主要产品同规格价格上涨约60%，其余由产品结构优化带动)。

2、长期供应协议(LTA)如何架构？对供应商有何利多？LTA呈现“天期更长、覆盖更广、波动更低、约束更强”四大特征。合约天期主流为3年至5年长约。三星采用“滚动式合约，每年谈判延伸一年，合约期可实质超过5年。三星透露已完成全球前五大资料中心客户签约，其多年度长协预计将覆盖其规划产能的60%~70%。

3、近期市场对“模组厂库存过高”的担忧是否成立？不成立。主要原厂与核心客户库存极度健康。模组厂库存上升主要受智能手机与PC等消费电子产品需求疲软影响，但该市场仅占整体记忆体市场的个位数百分比。反观原厂端，截至2Q26，DRAM 与 NAND库存水位仅为2至4周，远低于正常水准的4至5周，更远低于下行周期前的10周以上。

4、NAND Flash 是否正面临供过于求的转折点？不会。企业级 SSD(eSSD)需求强劲，完全足以抵消消费端疲软。高盛预估2026年至2028年企业级SSD需求将分别达到474EB/619EB/755EB，按年增幅高达66%、31%及22%。三大原厂资本支出高度倾斜至DRAM及HBM，NAND扩产极度克制，主要依赖技术升级而非扩充晶圆产能。

5、中国长鑫存储扩产是否会打破全球供需平衡？影响极有限。长鑫存储的技术世代与两家韩企存在2至3代显著差距，且面临地缘政治与极紫外光微影光刻机(EUV 光刻机)封锁。长鑫出货有70%集中于旧款LPDDR4，三星与SK海力士已有75%至85%转向 LPDDR5。技术制程上，CXMT主力仍在1z节点，而韩国双雄正由1a/1b迈向1c节点。

6、韩国厂商将如何回应市场对“股东回报”的强烈呼声？股东回馈具备显著上修空间，潜在“回购＋注销”利好。高盛预期三星今年每股派息(DPS)将从市场共识的8638韩元上调至9500韩元。SK海力士自由现金流爆发，2025年至2027年的股东回报亦有大幅上修空间。

7、SK海力士在美国上市ADR对韩国本土股票有何影响？SK海力士ADR将长期保持溢价，并有助于折价的逐步消除。自7月10日上市以来，SK 海力士ADR较韩股本土普通股持续享有26%至30%的溢价，主因是可转换额度限制(上限1.779亿份ADR，相当于1779万股普通股)及投资人结构不同。

8、SK海力士二季获利为何微幅低于预期？下半年趋势如何？二季仅因DRAM平均售价认列时差微幅落后，三季起将迎来强劲反弹第二季主因DRAM平均售价按季增29%(低于高盛预期的39%)，反映早期锁定价格与HBM4升级过渡期。预计2026年第三季在HBM4放量与1c nm DRAM出货带动下，DRAM位元出货量将按季增10%、平均售价按季增19%，单季营业利润将攀升至77万亿韩元。