格隆汇8月5日｜据快科技，长鑫存储旗下的最新LPDDR6内存项目取得重大进展，目前已进入风险试产阶段，在制造工艺与技术迭代进度上，基本追平三星、SK海力士、美光等国际存储巨头。据透露，长鑫目前正积极向主流手机厂商和计算平台分发样品进行验证，一旦原型测试达到预期，国产LPDDR6有望在年内进入大规模量产阶段，且考虑到长鑫以往在产能建设上的高效率，风险试产后的量产窗口期可能被压缩至数周。

此前国内存储厂商在先进标准上的跟进速度往往滞后于国际巨头半年以上，此次长鑫LPDDR6的试产，意味着国产内存在低功耗、高带宽技术领域已成功跻身世界前列，大幅缩短了与全球顶尖水平的时间差。具体规格方面，长鑫首批LPDDR6芯片的速率已经达到了12.8Gbps，而普通LPDDR6的基准速率为10.7Gbps，目前的LPDDR5X也只有在极限超频状态下能达到10.7Gbps，这意味着新一代内存即便在常规状态下，带宽性能也比上一代提升了约20%。