格隆汇7月21日｜三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。消息称，三星已开始量产第十代V-NAND(V10)并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND(V9)产能，并推进第十一代500层级V-NAND(V11)开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产品。