格隆汇7月2日｜SK海力士周四表示，公司计划投资80万亿韩元(约514.6亿美元)，建设一座新的NAND闪存芯片工厂，新厂预计将于2029年启动，以应对由AI热潮推动的存储芯片短缺。根据在一场由公司CEO和韩国总统李在明出席的活动上公布的规划，该公司CEO表示，SK海力士计划于明年在韩国清州市启动该新工厂M17的建设。此外，这家芯片制造商还计划再投入20万亿韩元，在清州新建一座芯片封装工厂，预计于2027年底前完工。