格隆汇10月5日｜据快科技，台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，将首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。