投资者内参丨寿紫薇 

10月13日，特斯拉与SpaceX创始人埃隆·马斯克在社交平台X上表示，一旦中国掌握某种产品的制造工艺，其规模化能力将远超世界其他地区。

他以锂离子电池和太阳能产品为例，指出中国在制造规模上具有明显优势；同时提到，SpaceX是少见的例外，因为美国在火箭发射入轨载荷质量方面仍远超世界其他地区。

马斯克进一步表示，内存芯片可能遵循类似轨迹。他指出，RAM在几年前仍被视为低毛利大宗商品，而LP5、LP6等产品的标准化设计，天然有利于不同制造商进行大规模生产。如果中国厂商能够迅速解决制造和良率挑战，传统RAM市场的竞争格局可能发生更大变化。上述言论发表前后，全球存储芯片板块已出现明显波动。10月12日美股交易中，美光科技（MU）收跌3.88%至每股989.04美元，拖累纳指表现。在长鑫存储公布新型芯片结构进展后，投资者正在评估这家中国存储芯片制造商可能带来的竞争压力。

此前在10月9日至10日于上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇发表演讲，介绍了公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术进展，并正式宣布预计将于2026年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。曹堪宇表示，4F²架构的核心在于自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，采用垂直包围沟道结构，可实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管有助于面积微缩和存储密度提升。长鑫自成立以来即启动4F²研究与专利布局，公开专利族超过300件。

与当前主流6F²架构相比，4F²将每个存储单元的面积从6倍最小特征尺寸的平方缩减至4倍，同面积存储密度可提升30%至50%。从6F²到4F²的跨越，本质上代表晶体管沟道方向从水平布局向竖立布局的根本性变革，设计和工艺流程无法完全复用，需要整合新一套工艺流程。

对DRAM制造商而言，该技术的核心价值不仅在于提高容量，也在于改善成本结构。如果长鑫存储能在量产中保持稳定良率，每片晶圆的有效比特产出预计将增加，从而降低每比特制造成本。这可能使公司在价格竞争中拥有更大灵活性，或在相同售价下改善利润率。值得注意的是，长鑫存储将4F²架构首代产品定为DDR5 RDIMM，直接面向服务器内存市场。DDR5 RDIMM需支持服务器7×24小时不间断运行，经受带电热插拔的电压冲击，并须与不同厂商、不同代际的CPU和主板完成数百项严苛的兼容性测试。

这一进度时间表，可能使三星电子和SK海力士面临更直接的竞争压力。10月13日，截至早上8点54分，韩国KOSPI指数跌幅扩大至5%，报6059点，创8月3日以来新低。SK海力士跌超7%，三星电子跌近6%。

马斯克的言论也反映出，市场正在区分不同类型的存储产品，传统RAM的标准化程度更高，制造能力与产能扩张可能是竞争关键。相比之下，下一代HBM，以及逻辑电路下配置SRAM或逻辑芯片上3D堆叠存储的架构，仍面临更大的集成与热管理挑战。

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