据台湾媒体《电子时报》消息，三星电子、SK 海力士、美光三大存储芯片厂商近期完成 2027 年通用 DRAM 及 HBM 产能分配协商，对应产能基本销售完毕。目前供给相对充裕的 NAND 闪存，相关厂商预计将于本月敲定 2027 年产能配额。

测算数据显示，三大原厂现有产能仅可覆盖下游客户 60% 至 70% 的采购需求。产能资源更多向人工智能、高性能计算领域倾斜，智能手机与 PC 企业能够拿到的 DRAM 配额将会缩减，或将推动消费电子终端内存相关成本上升。

根据 Counterpoint Research 全球内存追踪统计，三星第二季度 DRAM 市场占有率为 39%，排名首位；SK 海力士份额 26%，位列第二，较去年同期 39% 出现显著回落；美光市占率 25%，排在第三位。