一. 驱动逻辑

六氟化钨（WF₆）是半导体CVD制程中沉积钨膜主流前驱体气体，下游AI算力需求驱动全球存储晶圆大规模扩产，芯片制程迭代抬升单晶圆用量；  

中国钨原料出口管制造成日本两大WF₆厂商大幅减产，中期供给缺口显著；供需错配叠加钨粉价格上移，26年国内外WF₆价格大幅上行。  

二. 需求端：受益存储扩产周期+工艺迭代抬升单耗

ChinaIOL数据显示，全球WF₆消费量由20年4600吨增至25年8900吨，复合增速14%，2030年有望达15000吨，年复合增速预计11%。

（1）海内外晶圆厂扩产

海外：三星扩建平泽P4、光州NAND基地；SK海力士514亿美元新建清州NAND工厂；美光93亿美元扩建日本广岛DRAM/HBM产线。 

国内：长江存储武汉三期进入设备安装阶段；长鑫拟IPO募资295亿元扩建DRAM/HBM产线；中芯、华虹、晶合、粤芯等晶圆厂持续扩产。  

（2）工艺迭代抬升单耗

3D NAND：垂直堆叠架构每一层字线均需WF₆填充，从128层向300层以上迭代，单片用量大幅提升； 

HBM：互连密度、接触孔数量远超普通DRAM，单耗显著高于标准存储；

先进逻辑芯片：7/5/3nm制程晶体管密度提升，接触孔数量增加，单片耗材稳步上行。  

三. 供给端：日系产能刚性收缩，国产替代迎来窗口

（1）国内钨出口管制造成日系减产，供给缺口刚性显现  

当前全球WF₆总产能约9200吨，日本关东电化+Central硝子产能占比25%，韩国SK Specialty+Foosung产能占比25%-30%，过去海外头部晶圆厂高度依赖日韩货源。  

中国钨资源占全球供给80%以上，因两用物项出口管制，日本两大供应商已正式通知台积电、三星、SK海力士下半年供应无法保障。  

电子特气晶圆厂供应商导入周期长达2-5年，纯化工艺、杂质控制、连续稳定量产能力构成多重技术壁垒，预计缺口中期难被补齐。  

（2）国产企业迎份额提升机遇

当前已具备供货能力的国产企业份额将充分受益于日系产能降低，迎来份额提升+享受国际定价的窗口期。

四. 价格端：供需错配+钨粉上涨双重驱动

根据中国海关数据，26年2-6月WF₆出口单价分别为69、117、150、211、232美元/kg。

国内现货市场6月5N级WF₆报价1670-1810元/公斤，同比上涨232%；6N产品报价220-300万元/吨，较4月初涨幅超190%；7N长协价330-360万元/吨。  

行业调价机制由年度长协调价，逐步切换为季度、月度联动调价，原料上涨可快速向下游晶圆厂传导；部分海外客户已提出长协锁定订单，价格让步换取增量供应保障，国产产品盈利空间持续拓宽。  

五. 国内供应格局

中船特气：六氟化钨年产能2000吨，新增1000吨预计2027年投产；已完成台积电、美光、SK海力士、铠侠、英飞凌等头部晶圆厂认证。

昊华科技：六氟化钨年产能600吨，供货国内多家主流半导体厂商；电子特气业务（三氟化氮、六氟丁二烯等）布局全面。

中巨芯：六氟化钨年产能600吨，深度绑定中芯、华虹等本土核心晶圆厂。

和远气体：500吨/年六氟化钨产线已建成，目前处于试运行、客户送样认证阶段。