在经历前两个交易日接近10%的下跌后，韩国股市迎来了强劲的报复性反弹。

截至收盘，日韩股市集体收涨。韩国KOSPI指数涨6.32%，从早盘的不足7400点拉升反弹至8131点。个股中，三星电子涨近9%，SK海力士涨近12%。由于KOSPI期货价格飙升，韩国交易所一度暂停程序化买盘。

日经225指数收涨1.45%，此前一度跌超1%。

随着韩国股市涨幅的扩大，港股存储概念股涨幅亦进一步扩大，南方两倍做多三星电子大涨超14%，南方两倍做多海力士涨超10%。

消息催化上，据ZDNET Korea，业内人士3日透露，三星电子目前正与各大主流客户（包括服务器、PC、移动端巨头）进行全面谈判，目标是将今年第三季度的DRAM平均售价比上一季度直接调高20%。

资金方面，机构资金正在逆势抄底。

《首尔经济日报》3日上午11:14 报道的数据显示，机构买盘强劲，金融投资（含ETF资金）净买入1.2万亿韩元，国民年金净买入1,600亿韩元，投资信托净买入2,000亿韩元，保险资金净买入495亿韩元——机构合计买入近1.7万亿韩元。

与之形成鲜明对比的是，个人和外资分别净卖出4000亿韩元和1.4万亿韩元。

“芯片通胀”将继续

值得注意的是，随着AI市场持续扩张，通用型DRAM和NAND闪存芯片的月度均价已创下历史新高。

分析师认为，在供给短缺与旺盛需求的共同作用下，此轮涨价将持续至下半年。"芯片通胀"现象预计将在长期内延续。

据市场研究机构DRAMeXchange数据，6月通用型PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价达到2.1美元，较5月的2.0美元环比上涨5%。这一价格是自2016年6月调查启动之初的2.9美元的七倍多，创下历史新高。

DRAM价格从去年4月的1.65美元起，连续上涨了11个月，直至今年2月。在3月份持平于13美元后，价格在4月大幅上涨至16美元（环比上涨23.08%），5月涨至20美元，6月继续稳步上行。

NAND闪存同样走出稳健的上扬曲线。6月存储卡和U盘用通用型NAND（128Gb 16Gx8 MLC）的固定交易均价录得2.88美元，环比上涨8.7%。NAND价格已连续上涨18个月。与去年6月的3.1美元相比，价格已上涨超过九倍。

细分来看，受库存短缺和需求上升推动，6月SLC（单层单元）产品的平均售价环比大涨28%-31%，显著高于上月3%-16%的涨幅。MLC（多层单元）产品环比上涨8%-12%，保持稳定上升态势。

存储芯片价格的上涨预计短期内将持续。集邦咨询预测，DRAM供应商将在7月和8月相继提价，并相互跟进价格调整。据此，该机构将第三季度PC DRAM固定交易价格环比涨幅预测从此前的8-13%上调至15-20%，同时将第四季度涨幅预测从0-5%上调至3-8%。

针对NAND市场，集邦咨询分析指出："第三季度将迎来传统备货旺季，订单量增加；由于产能不足导致的供需失衡，SLC产品价格在Q3可能暴涨约60%-70%。"

不过，该机构也补充道，“进入第三季度，MLC产品的上涨势头将有所放缓”。