前言：台积电发布CoWoS玻璃基板开发计划，携手ABF载板厂商Ibiden、面板厂商群创，共同验证玻璃基板导入CoWoS先进封装的可行性。

一. IC载板概览

IC载板即封装基板，本质是一种高密度多层互连板；在芯片封装环节中，用于连接裸芯片与PCB板，实现电气连接、机械支撑、散热防护功能。

1.1 存在原因

裸芯片I/O引脚间距远小于PCB的布线精度，无法直接互联，需IC载板作为两者的精度桥梁：

（1）芯片侧连接：通过引线键合、倒装焊等工艺连接芯片的微凸点（Bump）。

（2）载板内部工作原理：将芯片引脚向外扇出（Fan-out）、重新排布（RDL）并逐步拉宽，以匹配PCB的大间距焊盘。

（3）PCB侧连接：采用BGA焊球阵列与PCB连接。

1.2 按基材分类

（1）有机基板：当前主流，性能均衡，技术成熟度高；以BT树脂、ABF树脂为基材，用于消费电子、汽车电子、服务器等场景。

（2）陶瓷基板：以氧化铝、氮化铝为基材，散热及高频性能优异，但脆性大、尺寸有限、布线密度低，用于光模块、功率半导体、射频器件。

（3）玻璃基板：以电子级特种玻璃为基材，平整度高、损耗低，但脆性高导致加工难度大、工艺尚未完全成熟。

二. 玻璃基板概览

玻璃基封装载板是以高硼硅玻璃为基材，通过TGV（玻璃通孔）技术实现层间互连的新一代载板，被视为解决AI芯片封装瓶颈的关键方案。

2.1 主要优势

（1）热稳定性优异：高温形变小，热膨胀系数与硅接近，有效抑制翘曲问题，提升良率。

（2）超高平整度：表面粗糙度远低于有机材料，支持2.5D/3D先进封装的高精度键合。

（3）高密度/低损耗：TGV通孔直径小，同面积下开孔数量更多；高频信号损耗低，匹配高速传输需求。

2.2 制备工艺流程

（1）原片预处理：将玻璃原片减薄至目标厚度（100-300μm），并达到纳米级表面平整度。

（2）湿法蚀刻成孔：使用超快激光钻出垂直通孔（TGV）。

（3）孔内金属化：通过PVD工艺在孔壁沉积种子层，再通过电镀铜工艺完成通孔填充与铜层增厚，实现垂直电气导通。

（4）线路图形化：在基板表面制作再布线层（RDL），通过光刻、蚀刻等工艺形成精密线路。

（5）后处理与检测：进行表面研磨、凸点加工，并进行电气、可靠性测试。

2.3 产业进展与难点

CoWoS封装结构中，自上而下层级：GPU/HBM→硅中介层（互连层）→有机封装基板→PCB。

目前方案主要有两种：采用玻璃替换Substrate芯层，即玻璃芯基板；采用玻璃替换硅中介层，即玻璃中介层。

工艺卡点：各环节良率有待提高，如TGV成孔良率、通孔填铜（铜与玻璃孔壁附着力差）、平整度管控（大尺寸超薄基板翘曲）等。

2.4 产业格局

（1）玻璃基板：三星电机（韩）、京东方a、长信科技、沃格光电、蓝思科技。

（2）TGV激光钻孔设备：帝尔激光、大族数控、德龙激光、英诺激光。

（3）电镀设备/化学品：东威科技、盛美上海、天承科技、三孚新科。 

（4）高硼硅玻璃原片：康宁（美）、肖特（德）、AGC（日）、力诺药包、凯盛科技、旗滨集团。