5月29日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。继今年2月率先实现HBM4量产后，三星再次推进下一代高带宽内存（HBM）产品布局，瞄准快速增长的AI基础设施市场。

根据三星披露的信息，HBM4E采用1c（10纳米级第六代）DRAM与三星4纳米逻辑芯片组合方案，支持每引脚14Gbps至16Gbps传输速度，较上一代HBM4提升超过20%。单堆栈带宽达到3.6TB/s，可进一步提升大语言模型（LLM）和下一代AI系统的计算性能。

容量方面，12层HBM4E单颗容量达到48GB，较上一代产品提升超过30%。三星同时规划推出32GB（8层）和64GB（16层）版本，以满足不同AI算力平台需求。

在能效方面，HBM4E采用低功耗设计和封装优化技术，较上一代产品能源效率提升16%，热阻降低超过14%，旨在缓解高强度AI计算场景下的数据中心散热压力。

三星表示，HBM4E基于已经量产的HBM4技术平台开发。此前，HBM4已于今年2月开始向客户供货，并在系统级封装（SiP）测试中实现11.7Gbps传输速度。由于两代产品采用相同的1c DRAM和4纳米逻辑芯片组合，市场预计HBM4E向量产过渡速度将明显加快。

三星电子存储器事业部开发副总裁黄相俊表示，公司已完成HBM4量产并启动HBM4E样品交付，未来将依托存储器、晶圆代工、系统LSI及先进封装组成的一站式供应体系，持续扩大在全球AI存储市场的竞争优势。

值得注意的是，三星主要竞争对手SK海力士已于2025年3月率先向客户交付12层HBM4样品，并于2025年下半年实现量产。SK海力士此前披露，其HBM4带宽最高可达2TB/s，并计划于2026年推出16层HBM4产品。随着三星HBM4E样品出货，下一代HBM竞争正进一步升温。

目前，三星正与SK海力士、美光科技等厂商竞争下一代HBM市场。随着英伟达、AMD、谷歌、Meta等科技巨头持续扩建AI数据中心，HBM已成为全球AI产业链最关键的高端存储器产品之一。