5月26日，SK海力士宣布发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。

消息称，iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件，构建专用热量排出通道。相较传统方案，热阻降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

SK 海力士半导体（中国）有限公司在2005年4月投资设立，是韩国SK 海力士株式会社的最大规模海外生产基地。公司主要生产DRAM，产品应用范围涉及服务器、智能手机、计算机、消费电子等领域。