一家亏了10年的中国企业彻底翻身。

乔峰| 作者      玉言| 编辑 

谁能想到，2026年最疯狂的生意竟然是存储。而这波风口却让一家亏了10年的中国企业彻底翻身。

5 月 17 日，合肥存储大厂长鑫科技更新科创板招股书，用炸裂业绩晒出硬核肌肉：单季赚回十年亏损，从 “烧钱百亿” 到 “日赚近 4 亿”，国产存储逆袭史诗迎来高潮。

历经十年的艰辛跋涉，芯片“狠人”朱一明终于助力长鑫跻身全球第四大 DRAM 厂商，国产存储正式迎来强势崛起时刻。

1

掌舵人朱一明

长鑫科技的逆袭，要从创始人朱一明说起。

作为典型的“理工男逆袭”代表，朱一明17 岁考入清华，本硕攻读现代应用物理；后赴美深造，获纽约州立大学石溪分校电子工程硕士，扎根硅谷存储芯片设计领域，一路做到项目主管，吃透行业核心技术与竞争逻辑。

学霸创业，自带底气。2005 年，朱一明回国创办兆易创新，避开巨头锋芒，切入 NOR Flash 小众赛道；2016 年，兆易创新成功登陆 A 股，跃升为国产芯片设计标杆。

功成名就之际，他却选择二次创业。2016 年，朱一明联手合肥市政府创立长鑫科技，剑指被三星、SK 海力士、美光垄断的 DRAM 内存 “最难赛道”。

2018 年，朱一明零薪出任长鑫 CEO，立下 “不盈利、不领薪” 的军令状，向着国产存储最硬的骨头全力进发。

2

合肥的押注与布局

合肥古称庐州，因东淝河与南淝河在此汇合而得名。这座城市，常被形容为“最牛风投城市”。

近年来，合肥全力深耕科创领域，以“硬核投入 + 全链布局 + 未来前瞻” 跑出创新加速度，一举从曾经的科教发展洼地，强势崛起为国内举足轻重的国家战略科技力量重要支点。

2016 年，全球 DRAM行业三星、SK 海力士、美光形成三足鼎立格局，牢牢掌控市场话语权，我国内存芯片产业尚处于空白状态。

加之该产业重资产属性极强，产线建设耗资巨大，研发与投产周期漫长，漫长的盈利周期与高昂的入局成本，让众多企业望而却步，始终无人敢贸然入局。

彼时朱一明怀揣 DRAM 攻坚方案四处奔走，辗转多地寻求合作却屡屡碰壁。艰难时刻，合肥果断拍板，全身倾力入局，拿出真金白银鼎力扶持，为长鑫存储的发展之路坚实托底。

长鑫依托合肥时间线：

* 2018年，长鑫科技成功投片，产出首颗国产8Gb DDR4/LPDDR4工程样片，结束了中国无自主 DRAM 的历史。

* 2019年，长鑫科技宣布首颗国产19纳米工艺DDR4内存芯片正式量产，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。此后长鑫持续养精蓄锐‌、扩产研新，布局多地产业基地，全力研发新一代高端存储产品。

* 2023 年推出 LPDDR5 系列产品。

* 2024 年企业完成百亿级融资，向着上市与高端化发展全速迈进。

然而，在三星、SK 海力士、美光构筑的行业壁垒与市场垄断格局下，长鑫进军 DRAM 领域的突围之路布满坎坷、步履维艰。

赛道重资产属性极强，研发建厂投入浩大，叠加技术追赶周期漫长、行业周期波动冲击，企业十年发展之路负重前行，累计亏损高达 366.5 亿元。

而合肥国资不仅全程陪跑，更是以长鑫为 “链主”，打造 “设计 - 制造 - 封测 - 设备 - 材料” 闭环，形成 “一核两翼、集群爆发” 格局。

3

算力繁荣下的弯道超车

十年蛰伏，一朝爆发，合肥的押注终成正果。随着AI算力产业爆发带动存储行业超级周期来临，长鑫科技实现跨越式业绩逆袭。

2026年第一季度，公司斩获亮眼业绩，实现营收508亿元，同比大幅增长719.13%；归母净利润达247.62亿元，同比激增1688.30%，以一季度90天计算，相当于日赚近4亿元。

凭借单季度的强势盈利表现，长鑫科技基本抹平十年累计亏损，彻底终结长期亏损的经营困境，实现经营态势的根本性逆转。

立足持续的技术迭代升级与产能全面释放优势，长鑫科技全球DRAM市场份额稳步攀升至8%，稳居全球第四大DRAM厂商席位，成功打破海外行业巨头的长期垄断格局，彻底填补了我国高端存储芯片规模化量产的产业空白，扛起了国产存储自主可控发展的大旗。

而一路陪的合肥也顺势完成产业华丽蝶变，从昔日 “缺芯少屏” 的产业短板城市，一跃崛起为享誉全国的中国 IC 之都，成功构筑起“芯屏汽合” 万亿级战略性新兴产业集群，实现了从产业跟跑到集群领跑的跨越式升级。

纵观长鑫的翻身路，离不开合肥的一力托举，更离不开天时、地利、人和的三重加持。

AI算力产业的全面爆发，叠加海外巨头战略转型、主动让出通用DRAM市场空间，为长鑫业绩反转、产能释放提供了绝佳行业风口，可谓天时；所谓地利，合肥立足科创转型赛道，以链主思维布局半导体产业，为长鑫补齐上下游配套、落地产能、迭代技术提供了完善的产业土壤；谈及人和，源于合肥地方政府坚守长期主义的战略定力，不惧千亿级产业投入压力，与长鑫研发团队同心同向持续突破核心技术壁垒。政企携手扛过长期亏损阵痛，最终完成从负重蛰伏到逆势领跑的华丽蜕变。

长鑫科技十年磨剑、逆势突围的发展历程，不仅是一家企业的成长蜕变，更是国产DRAM产业突破垄断、自主崛起的真实缩影，已然成为国内存储产业高质量发展的标杆企业与生态核心引擎。

当前，长鑫科技全力冲刺科创板 IPO，计划募资 295 亿元用于产能扩容、技术攻坚与产业升级，全力冲击全球存储行业前三席位。

此次百亿级史诗融资，不仅是企业抢抓行业红利、角逐全球市场的关键布局，更将持续夯实国产算力存储核心底座，助力我国存储芯片产业实现自主自强、迭代跃升，为国内半导体产业集群高质量腾飞积蓄强劲核心动能。

4

繁荣背后的挑战

值得一提的是，亮眼逆袭与高速增长的背后，长鑫暗藏隐忧。

首先，企业仍需直面技术迭代瓶颈、行业周期波动、地缘博弈压制、寡头市场挤压、经营财务承压等多重深层挑战，未来规模化、高端化、全球化发展仍存在诸多不确定性。

其次，目前长鑫核心量产工艺仍以成熟制程为主，与三星、SK海力士、美光三大国际巨头存在明显工艺代差。

同时受海外出口管制限制，企业无法获取EUV光刻机，仅能依靠DUV多重曝光技术迂回生产，先进制程迭代受阻，技术升级存在天然瓶颈。

加之存储芯片属于典型的强周期性行业，价格与需求受宏观经济、终端消费、行业产能格局影响极大。

长鑫当前的业绩爆发，核心得益于AI算力爆发带来的存储量价齐升红利，一旦行业供需格局发生改变，企业营收、利润将面临大幅波动风险，高速增长态势恐怕难以持续。

此外，随着长鑫持续抢占中低端通用DRAM市场，逐步蚕食巨头份额，国际头部厂商已开始通过降价让利、技术迭代、产能调控等方式巩固市场壁垒，行业内卷竞争势必持续加剧。

在巨头压制与同业内卷的双重挤压下，长鑫突围高端赛道、稳固市场份额的压力将持续攀升。

尽管长鑫近期实现阶段性盈利、抹平阶段性亏损，但企业长期重资产投入的经营隐患尚未消除，历史经营负债压力尚未完全出清。

叠加存储产业技术迭代、产能升级的千亿级持续投入需求，企业持续造血能力与现金流稳定性将持续承压，其长期盈利的稳定性与可持续性，仍需历经行业周期波动与市场竞争变化的多重考验。

是朱一鸣的坚守，合肥的魄力，国家的托底，还有无数工程师的死磕，长鑫才硬生生闯出一条活路，同时也是时代红利、产业布局与企业深耕共振的结果。

可是，挑战犹存，未来的长鑫任重而道远，唯有彻底摆脱周期依赖，完成从红利驱动向技术壁垒驱动的硬核转型，才能打破跟随发展的被动局面，实现长期稳健立足。