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5月17日，长鑫科技更新科创板招股书，披露了其在2026年第一季度的业绩。其收入508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元，同比增长1268.45%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.3%。

长鑫科技表示，2026年1-3月，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势。同时，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入迅速增长。得益于2026年一季度DRAM产品价格的快速上涨，公司营业利润、利润总额、净利润、息税折旧摊销前利润、归母净利润及扣非后归母净利润均同比大幅增长。

作为国产DRAM巨头，长鑫科技能否继续书写其传奇故事？

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中国第一、全球第四的DRAM厂商

长鑫科技自2016年成立，专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。

在长鑫科技的发展过程中，合肥国资和朱一明均发挥着重要作用。

招股书显示，长鑫科技发行前由清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫及安徽省投分别持股21.67%、11.71%、8.73%、8.37%、7.91%，公司无控股股东和实际控制人。

清辉集电由芯睿投资、长鑫集成、合肥清辉长鑫企业管理合伙企业（有限合伙）三名合伙人持股，其中长鑫集成由合肥省国资委100%控股；安徽省投同样由合肥省国资委100%持股。合肥集鑫为员工持股平台。也就是说，在长鑫科技的主要股东中，合肥国资占据不少位置。

长鑫科技现任董事长朱一明为兆易创新创始人、董事长，2018年7月至2023年，先后任长鑫存储董事、董事长、首席执行官；2020年5月至2023年4月，任长鑫科技首席执行官；2021年2月至今，升任董事长。

资料显示，2005年，朱一明回国创办兆易创新。3年后，兆易创新推出了中国第一颗自主设计的180nm SPI NOR Flash芯片。2013年4月，兆易创新推出首颗国产基于Arm Cortex-M3的MCU。2016年8月，兆易创新登陆上交所主板。

也是在兆易创新上市这一年（2016年5月），朱一明与合肥政府就一项存储器项目的发展战略进行研讨，其被称为“506”项目。一个月后，长鑫科技的前身在合肥注册成立。2017年10月，兆易创新与合肥产投签署为期5年的合作协议，双方将在合肥经济技术开发区联合开展19nm制程的12英寸晶圆存储器研发项目，项目预算约180亿元人民币，由双方按1:4比例筹集，合肥产投承担约144亿元。

2018年7月，长鑫科技验证投片并试产8GBDDR4工程样品；2019年9月，长鑫科技推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业从零到一的突破。

目前，长鑫科技在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。长鑫科技采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

按出货量和销售额统计，长鑫科技已是中国第一、全球第四的DRAM厂商。根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%。

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预计上半年实现千亿营收

亏损曾是长鑫科技持续面临的问题。2023年-2025年，长鑫科技的收入分别为90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元；归母净利润分别为-163.4亿元、-71.45亿元、18.75亿元。

在毛利率方面，2023年-2025年，长鑫科技的综合毛利率分别为-1.93%、5.58%、40.99%。长鑫科技表示，2025年，随着公司规模应持续显现及产品结构持续优化，同时得益于2025年DRAM产品价格大幅上涨，公司综合毛利率已转正并大幅提升。

对比来看，2025年，三星电子的综合毛利率为39.38%，SK海力士的综合毛利率为60.41%，美光科技的综合毛利率为39.79%。长鑫科技的毛利率水平已与三星电子、美光科技相当。

长鑫科技表示，截至2025年12月31日，公司累计亏损为366.5亿元。DRAM行业具有规模导向属性。为增强产品的市场占有率和竞争力，公司需要持续提升产能规模，而厂房及产线建设等需要高额的固定资产投入，对应固定资产折旧金额较大。报告期内，公司处于产能快速爬坡阶段，产线持续建设并不断升级，相关资产转固后产生的折旧等固定成本较高且金额持续增加，新增产能带来的规模效应尚未完全显现。

2023年-2025年，长鑫科技固定资产账面价值分别为844.52亿元、1531.32亿元和1830.24亿元，占期为43.81%、56.38%和54.34%，占比较高且金额持续增加。同期，计提固定资产折旧额分别为105.55亿元、148.75亿元、246.8亿元，呈上升趋势。

此外，由于DRAM行业具有周期性，相关企业业绩波动较大。长鑫科技在招股书中直言，2025年下半年以来，产品价格的持续上涨带动了公司产品销售毛利率和利润水平的快速提升，并推动公司2025年实现扭亏为盈。未来，如果宏观经济发生不利变化或DRA行业进入下行周期，出现下游市场需求疲软或产品供应远大于需求的情况，公司的产品销售价格和经营业绩将面临不利影响并出现波动。

不过，目前仍是DRAM行业的上行周期。长鑫科技表示，2026年上半年，随着DRAM行业产品价格的持续上涨，以及公司产销规模的持续增长、产品结构的不断优化，公司预计营业收入、净利润、归母净利润和扣非后归母净利润较上年同期均实现大幅增加。

长鑫科技预期，2026年上半年收入为1100亿元-1200亿元，同比增长612.53%-677.31%；归母净利润500亿元-570亿元，同比增长2244.03%-2544.19%。

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仍有一定的技术代际差距

长鑫科技在招股书中直言，公司工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距。资料显示，长鑫存储、长鑫新桥、长鑫集电为长鑫科技重要的经营主体。

2025年11月，长鑫存储发布了速率达8000MT/s的DDR5内存产品，提供16Gb和24Gb两种单颗颗粒容量，全面覆盖服务器、工作站及个人电脑等应用场景。但三星电子、SK海力士及美光科技早已在2023年便推出了32Gb DDR5芯片，由此对比，长鑫存储与国际领先技术还有一个代际的技术差异。

在AI必需的HBM（高宽带内容）方面，长鑫科技也存在一定的技术差距。资料显示，HBM通过将多层内存芯片垂直堆叠，直接与AI芯片集成。这种结构设计极大提升了数据传输速度，同时降低了功耗。HBM制造工艺极其复杂，对良率和量产能力要求极高。

目前，全球HBM产能由三星电子、SK海力士及美光科技垄断。SEMI（国际半导体产业协会）中国总裁冯莉表示，2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成，需求的徒增，导致供需失衡。尽管，三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口达50%-60%。

2025年10月，有消息称，长鑫存储已向中国客户交付16纳米制程的HBM3样品，预计2026年实现全面量产。2026年4月，又有消息称，长鑫存储已启动了12层高带宽内存HBM的大规模生产，其计划将约20%的现有DRAM产能转向HBM制造。

据媒体报道，目前长鑫HBM3的良率较国际头部厂商低30个百分点以上，且面临EUV光刻机、特种气体等关键设备和材料的供应链约束，量产爬坡仍需时间。

在技术追赶下，此次长鑫科技上市拟募资295亿元。其中，75亿元用于存储器品圆制造量产线技术升级改造项目；130亿元用于DRAM存储器技术升级项目；90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。其表示，项目实施后，能够满足公司在DRAM行业进一步提高技术及研发实力和加快产能建设与升级的需要。

随着AI的迅速发展，存储芯片行业迎来新的发展机遇，以长鑫科技为首的DRAM国产企业们，业绩迎来爆发式增长，同时也在努力追赶国际领先技术。但技术代际的差距以及DRAM行业固有的周期性波动，仍是其前行路上的严峻考验。此次科创板上市募资，既是长鑫科技加速技术迭代与产能升级的关键一步，也是其应对未来挑战的战略布局。

作者丨五仁

来源丨征探财经（ID:teccj6)