前言：据SEMI 26年4月最新数据，2025年全球半导体设备出货额达1351亿美元，同比增长15%，创历史新高。

一. 半导体制造工序

1.1 前道工艺（晶圆制造）

（1）目的：在空白晶圆上完成晶体管、金属互连线路构建，生成具备电路功能的裸芯片（Die）。

（2）主要步骤：薄膜沉积→光刻显影→刻蚀→离子注入→CMP抛光，需重复上百次循环来完成芯片结构的层层构建。

1.2 后道工艺（封装测试）

（1）目的：将前道产出的合格裸芯片封装为标准化成品，并完成功能、可靠性测试，确保符合出厂要求。

（2）主要步骤：晶圆中测（CP）→晶圆减薄→晶圆切割→固晶贴装→引线键合→塑封成型→成品终测（FT）。

二. 前道环节与设备

2.1 薄膜沉积

（1）目的：在晶圆表面沉积绝缘层、金属层、半导体层等功能薄膜，为后续图形转移提供基底材料。

（2）设备：PVD（物理气相沉积）、CVD（化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）。

（3）全球格局：应用材料、泛林、东京电子三家合计90%份额。

（4）国内头部：北方华创（PVD）、拓荆科技（CVD/ALD）。

2.2 光刻与显影

（1）目的：在沉积后的薄膜表面，通过光刻胶涂覆、曝光、显影，将电路图案转移至光刻胶，为后续刻蚀标记出区域。

（2）设备：光刻机（将掩膜版图形转移到光刻胶）、涂胶显影机（涂布光刻胶并显影曝光）。

（3）全球格局：光刻机-阿斯麦（ASML）一家独大，其余包括尼康、佳能；涂胶显影机-东京电子一家独大。

（4）国内头部：上海微电（光刻机）、芯源微（涂胶显影机）。

2.3 刻蚀

（1）目的：去除未被光刻胶保护的薄膜区域，从而在晶圆留下电路结构。

（2）设备：干法蚀刻机（等离子体刻蚀）、湿法蚀刻台（化学溶液腐蚀）。

（3）全球格局：应用材料、泛林、东京电子三家合计90%份额。

（4）国内头部：中微公司。

2.4 离子注入

（1）目的：将硼、磷等掺杂离子注入晶圆半导体层，改变材料电学特性，形成晶体管的源漏极、PN结等结构。

（2）设备：离子注入机、退火炉。

（3）全球格局：Axcelis、应用材料、住友重工三家合计95%份额。

（4）国内头部：先导基电（凯世通）。

2.5 化学机械抛光

（1）目的：通过机械研磨、化学腐蚀，实现晶圆表面原子级平整度。

（2）设备：CMP抛光设备。

（3）全球格局：应用材料、日本荏原两家合计90%份额。

（4）国内头部：华海清科。

2.6 检测与量测

（1）目的：实时监控工艺质量，检测晶圆表面缺陷、验证电路尺寸精度与电学性能。

（2）设备：缺陷检测设备（AOI）、临界尺寸扫描电镜（CD-SEM）、膜厚量测仪等。

（3）全球格局：科磊（KLA）全球份额超75%。

（4）国内头部：中科飞测（晶圆缺陷检测设备）、精测电子（量测设备）。

2.7 清洗

（1）目的：全流程高频次执行，无损伤去除晶圆表面颗粒、金属污染、有机物等杂质。

（2）设备：湿法清洗设备、等离子清洗设备。

（3）全球格局：迪恩士（Screen）全球市占率超50%。

（4）国内头部：盛美上海。