一. 可拔插光模块结构

（1）光发射组件（TOSA）：负责电信号转光信号，包括激光器（DFB、EML）、光学耦合元件（光隔离器、光调制器）等。

（2）光接收组件（ROSA）：负责光信号转电信号，包括光电探测器（PD、APD）、跨阻放大器（TIA）等。

（3）电路与控制单元：DSP（数字信号处理器）、MCU（微控制单元）、PCB电路板、电源管理芯片等。

（4）结构与封装单元：光接口（连接光纤）、电接口（连接交换机/服务器主板）、外壳、解锁机构等。

二. 光调制器分类

光调制器是光发射组件（TOSA）核心光学元件，作用是将输入的电信号转换为调制后的光信号。

（1）原理：通过改变材料的折射率或吸收系数，让光载波参数（如振幅、相位、频率）按照电信号来改变。

（2）组成：电光材料（决定调制器性能）、光波导（约束和引导光信号传输）、电极（加载外部电信号）、输入/输出端口（实现光纤耦合）。

（3）电光材料分类：主流包括硅基、磷化铟、铌酸锂三类。

2.1 硅基调制器

（1）原理：基于等离子体色散效应，通过改变硅载流子浓度调控折射率。

（2）特点：与CMOS工艺兼容、成本低、电光系数中等；主要用于短距光通信，如数据中心、局域网。

2.2 磷化铟（InP）调制器

（1）原理：基于量子阱限制斯塔克效应，通过改变能带结构调控吸收系数。

（2）特点：电光系数较高、材料兼容度高；主要用于长距光通信，如城域网、骨干网。

2.3 铌酸锂（LN）调制器

（1）原理：基于线性电光效应，通过外加电场改变晶格折射率。

（2）特点：电光系数高、带宽大；主要用于高速光通信（如1.6T光模块）。

三. 薄膜铌酸锂概览

铌酸锂（LiNbO₃）是一种具有非中心对称晶格结构的铁电晶体，电光系数高、光学透明窗口宽、居里温度高。

在调制器应用中，其存在尺寸大、集成度低、功耗大（半波电压高）等局限，升级方向为薄膜铌酸锂（TFLN）：

（1）制备原理：将铌酸锂单晶从体材料上剥离后削薄为纳米级薄膜，并将其键合在硅基衬底。

（2）优势：既保留了铌酸锂的优异光学特性，又实现了硅基兼容、更小体积、更高集成度、更低功耗。

（3）主流工艺：Smartcut（离子切割法），衬底准备→离子注入→晶圆键合→薄膜分离→退火与抛光。

四. 相关布局厂商

（1）铌酸锂晶体：信越化学（日）、住友金属（日）、Crystal（美）、Korth Kristalle（德）、德清华莹、天通股份、福晶科技。

（2）铌酸锂调制器：富士通（日）、住友电工（日）、Lumentum（美）、Coherent（美）、光库科技、光迅科技、安孚科技（参股易缆微）。