东微半导(688261.SH)：第四代SiC MOSFET产品技术平台已完成研发

格隆汇9月9日丨东微半导(688261.SH)在互动平台表示，公司很早就已布局了SiC业务，以高性能电源应用方向为切入口，积极开展研发工作。公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已实现规模化量产，相关产品的性能指标和同类型竞品对比优势明显，第四代SiC MOSFET产品技术平台已完成研发。公司SiC产品已送样多个头部客户并design win。未来随着高性能电源业务的进一步发展，有望为公司SiC业务提供持续推动力，相关营收规模数据请关注公司披露的定期报告。