格隆汇8月11日｜据韩媒，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻(EUV)技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径(High-NA)EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司已全面开始引入相移掩模(PSM)等新型材料，以提升EUV光刻性能。