格隆汇7月7日｜半导体分析机构SemiAnalysis在VLSI 2026会议期间发布关于3D NAND闪存架构的推文称：在当前产能受限的环境下，业界最不需要的就是因为堆叠良率下降而导致单座晶圆厂的比特产出量降低。在VLSI 2026大会上，铠侠（Kioxia）和三星均展示了多阵列混合键合NAND架构，将其作为实现1000层以上最高密度的发展路径。铠侠的多层堆叠单元阵列（MSA）样品包括，用于解决对准和翘曲等机械集成挑战的双218层（2层堆叠）样品，以及用于电气特性表征和QLC可靠性验证的双17层样品。三星的单元多重键合（CMB）样品则更进一步，推出了双450层（3层堆叠）的机械样品和双155层（单层堆叠）的电气样品。