格隆汇7月5日｜据韩国经济日报，中国长鑫存储目前正在合肥测试一条“键合DRAM”的试产线，旨在不使用极紫外(EUV)光刻机的情况下，实现高性能DRAM的制造。由于该技术能将性能和容量发挥到极致，因此被视为“存储半导体领域的颠覆者”。长鑫存储已投入大量顶尖工程师，目标是比韩国企业更快地实现这些技术的商业化。

键合DRAM是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后将其键合(绑定)在一起的技术。这种方法使得企业仅通过深紫外(DUV)光刻机配合多重曝光技术，就能生产出超高密度的DRAM，从而摆脱对EUV设备的依赖。

三星电子目前正通过代号为“B1b”的项目研发键合DRAM，SK海力士也在推进类似技术的研发。然而，也有观点评估认为，长鑫存储的键合DRAM在技术本身以及研发速度上，目前已经领先于韩国企业。