12:44
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
格隆汇6月30日|东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。

2026-06-30315.1k

商务、渠道、广告合作/招聘立即咨询

相关文章

黄仁勋出轨后续:股价续跌超5%,猎头或已找人替换老黄

哥吉拉 · 9分钟前

cover_pic

冲刺史上最大IPO!Anthropic目标市值约1万亿美元

山顶的太阳 · 1小时前

cover_pic

OpenAI营收增至100亿美元,但持续面临巨额亏损

小摩根 · 1小时前

cover_pic