格隆汇5月27日｜环旭电子今日宣布，其于新世代功率解决方案领域所开发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。此创新设计为内绝缘功率分立器件带来重大的技术突破，封装本体即具备电气绝缘能力，并同时展现低杂散电感与极低的导通阻抗的优势。环旭电子将于2026年6月9日至11日参加在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026，并展示其最新芯片预埋封装技术、先进功率模块及系统整合解决方案。