格隆汇5月23日｜据澎湃，日前，美国存储芯片厂商美光CEO桑杰·马罗特拉（Sanjay Mehrotra）接受外媒采访时发出预警，称当前全球内存短缺可能延续至2026年之后，而行业真正意义上的大规模新产能释放，至少要等到2028年。“厂房基础建设是目前周期最长、挑战最大的环节，土建完成后，设备入场、安装调试同样需要漫长周期。”马罗特拉在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂接受采访时坦言。该工厂刚刚启动了全美首个“1-alpha”工艺节点DRAM量产，这也是美光将先进内存制造回流本土的关键一步。

由于全球存储芯片紧缺，美光正在进行大规模扩产。根据之前美光披露的计划，美光将在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，首座预计明年年中产出首批晶圆，第二座则要到2028年底；在纽约州锡拉丘兹规划多达四座晶圆厂的生产集群。整体而言，美光计划在全美投资高达2000亿美元，目标是将本土产量占全球总产量的比重从当前的约10%提升至40%。