格隆汇3月25日｜日前，合肥安海半导体股份有限公司宣布，其研发的6.5kV/40mΩ与10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片获浙江大学电气工程学院实验检验和中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场见证测试通过，并已实现量产，两款产品良率均突破80%大关，标志着中国企业在超高压碳化硅领域达到世界领先水平。