格隆汇3月18日｜据科创板日报，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5)，其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。